真空设备讲义.ppt

真空設備維護與保養 NLVC-TY PVD廠 2009.05.20 目 录 几个镀膜参数分析 真空设备常见故障与处理 设备定期维护 配件管理 一.几个镀膜参数分析 就是对功率(电压/电流) ﹑流量﹑压力﹑时间﹑温度﹑距离﹑形状等制成参数的整合. 1.1 溅射率与离子入射角的关系 1.2 沉积速率工作气压的关系 1.3 温度 1.4 功率与膜厚的关系 1.5 基片偏压对薄膜的影响 1.6 反应气体分压影响膜的特性 1.7 磁控溅射的优点 二.常见故障与处理 2.1 真空设备常见故障 2.2 真空镀膜常见的失效模式 三.定期维护 3.1 日点检 3.2 Chamber的定期维护PM 3.3 防护板的喷砂处理 3.4 维护保养计划 四.配件管理 清楚的配件一览表 a. 区分出ConsumerNon-Consumer . b. 零件名称﹑型号﹑目标库存数﹑实际库存数﹑零件寿命(使用频率) ﹑供应商名称﹑联系电话. 清楚的配件库存管理 配件分门别类摆放,标识清楚;设立库存预警系统. 保证配件采购链信息畅通 尤其单台设备,不象批量设备那样,泵,电源均可有备品. * 月球 世界最低人造地球卫星(近地点) 150 我国第一颗人造地球卫星(近地点) 438 我国第一颗人造地球卫星(远地点) 2384 珠穆朗玛峰 8.848 壓力 Torr 地球半径 6370 1Atm=760 236 145 7.7x10-3 4.0x10-8 4.6x10-12 7.5x10-14 对流层 电离层 外大气层 平流层 星际空间 12 80 380 384400 0 大气压力随海拔高度的变化 10-15 ~10-20 地球 高度Km 0 0° 90° θ 1 m S θm 对Au,Ag,Cu,Pt影响小.; 对Al,Fe,Ti,Ta影响大. 结 论: 入射角60°~80°时,级联碰撞深度/范围合适, 阻挡作用最小,轰击效果最佳,溅射率最大. θ Ar Al 靶 溅射率 入射角 34 36 38 40 42 44 46 48 50 32 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 工作气压Pa 沉积速率(um/min) 结 论 : 工作气压有一最佳值,可用溅射率为依据来选择工作气压值. -200 0 200 400 600 800 1000 0.5 1 Ge Au Cu Ag Zn Bi 温度 ℃ 溅射率 S 溅射率与靶温度的关系 溅射率与靶温度有关系. 靶温超过靶材升华温度,就会是“溅射与靶原子的蒸发”复合作用, 溅射率陡增, 沉積速率将急剧增加,膜層厚度無法控制. 溅射时注意控制靶的温度,防止溅射率急剧增加现象. 溅射时靶始终处于高能粒子的轰击中,粒子入射到靶后﹐1%的能量被交给了溅射出来的原子,其中75%的能量使靶加热.其余消耗在次级电子轰击工件等. 溅射出靶原子 其它 加热靶 轰击靶的粒子動能大部分轉換成熱能,使靶加热. 热量的来源 冷却水进 冷却水出 绝缘板 背板 阴极架 屏蔽环 温感线 DC电源线 冷却水進出管 间接冷却示意图 靶座 靶冷却方式 靶材 直接冷却---水直接通到背板背面. 间接冷却---水通入靶座,靠靶与背板﹑靶座的良好接触来冷却. 控制措施﹕ 冷却水的温度和流量必须严格控制,机器应设置相应的报警系统.嚴禁無水進行鍍膜作業. 靶应设置温度感应装置,超过设定温度,机器自动停止溅射. Eg:Veeco Ion milling工件冷却方式 蒸发镀膜,温度越高,蒸发速率越快.一定程度上,提高基 片温度,可提高附着力. 卷绕式蒸发镀膜机,对于经得住高温的材料,辊筒采用水冷即可,否则,得单独用制冷机冷缺. 基片温度直接影响膜层的生长及特性. 如:淀积钽膜时,基片温度﹤700℃ 时,钽膜呈四方晶格 ; ﹥700℃ 时,钽膜呈体心立方晶格 . 反应离子镀,基片加热温度低,由于电离增加了反应物活性,故可在较低的温度下获得附着性能良好的碳化物,氮化物.若采用CVD,要加热到本基1000 ℃左右. 作IT