半导体物理学第七版刘恩科编著chap7学习课件.pptVIP

第七章 金属和半导体的接触Contact between Metal and Semiconductor 1938年，W. Schottky提出了基于整流二极管的理论，称为肖特基二极管理论。这一理论以金属和半导体功函数差为基础。 肖特基势垒二极管是多子器件, 有优良的高频特性.一般情况下, 不必考虑少子的注入和复合. 肖特基势垒二极管有较低的正向导通电压. 7.3少数载流子的注入和欧姆接触 7.3.1少数载流子的注入 n型阻挡层，体内电子浓度为n0，接触面处的电子浓度是 电子的阻挡层就是空穴积累层。在势垒区，空穴的浓度在表面处最大。体内空穴浓度为p0，则表面浓度为 加正压时，势垒降低，形成自外向内的空穴流，形成的电流与电子电流方向一致。 空穴电流大小，取决于阻挡层的空穴浓度。 平衡时，如果接触面处有 此时若有外加电压，p(0)将超过n0，则空穴电流的贡献就很重要了。 加正向电压时，少数载流子电流与总电流值比称为少数载流子的注入比，用γ表示。 加正电压时，势垒两边界处的电子浓度将保持平衡值，而空穴在阻挡层内界形成积累，然后再依靠扩散运动继续进入半导体内部。 因为平衡值p0很小，所以相对的增加就很显著。 对n型阻挡层而言 7.3.2欧姆接触 定义 不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的变化。 实现 反阻挡层没有整流作用，但由于常见半导体材料一般都有很高的表面态密度，因此很难用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。 隧道效应：重掺杂的半导体与金属接触时，则势垒宽度变得很薄，电子通过隧道效应贯穿势垒产生大隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分，即可形成接近理想的欧姆接触。 接触电路：零偏压下的微分电阻 把导带底Ec选作电势能的零点，可得 电子的势垒为 令y=d0-x，则 根据量子力学中的结论，x=d0处导带底电子通过隧道效应贯穿势垒的隧道概率为 有外加电压时，势垒宽度为d，表面势为[(Vs)0+V]，则隧道概率 隧道电流与隧道概率成正比 进而可得到 （加上外加电压在金属上） 这种势垒宽度随外加电压的变化而变化的势垒就是Schottky势垒。 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 积分 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 讨论： Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 7.2.2 热电子发射理论 xdln时，电子通过势垒区的碰撞可以忽略。当电子动能大于势垒顶部时，电子可以自由越过势垒进入另一边 热电子发射 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 假设势垒高度 VDk0T 思路： (a) Js m (b) Jm s (c)J= Js m +Jm s Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact (a) Js m时： Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact （b） Jm s Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact （c）总电流密度J Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 扩散理论与热电子理论的差异 xd《ln时： xd》ln时： Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 7.2.3 镜像力和隧道效应的影响 反向特性不饱和 Rectificatio