amps的运行步骤讲义.docVIP

第四章：运行AMPS的步骤 首先，AMPS会计算出在没有任何偏压下器件的的基本能带图，内建势场和电场，自由载流子数目和束缚载流子数目。 然后AMPS将以这个热平衡状态下的解开始进行在偏压下（光偏压，电偏压，或者是两者同时加上去）的特征的求解。这下AMPS将会输出能带图（包括准费米能级），载流子数目，电流，复合，I-V特征和光反应等等。 一：器件的输出特征 暗IV特征 在输入光偏压条件的窗口中，我们只要给出光偏压的范围。例如，光偏压从-1V至1V。这个电压范围不单单应用到暗I-V，而且可以应用在有光情况下的I-V。有这样的情况，如果你选在0—1V范围内步长为0.05V的计算条件，但是你想看到在0.88V条件下的能带图，那么AMPS只能让你看到0.9V的能带图，除非你把步长改为0.04V或者式更小。当然了，步长越小，AMPS计算的时间就越长。 光IV特征 这和暗IV特征的唯一区别在于你要在窗口上选中“light on”。AMPS默认提供了AM1.5，但是我们也可以自己设置。 光谱响应 如果我们想看到在每个波长上产生的光电流，就必须设置“spectral response” 不管是在有光或者式无光的条件下，AMPS都会给出频谱反应。 二：输入参数的步骤 1：应用于整个器件的参数 2：应用于特定区域的参数 3：确定光谱的参数 应用域整个器件的参数 §边界条件 §表面复合速度 SNO=SNO : 电子在x=0处界面的复合速度（cm/sec） SPO=SPO : 空穴在x=0处界面的复合速度（cm/sec） SNL=SNL : 电子在x=L 处界面的复合速度（cm/sec） SPL=SPL : 空穴在x=L 处界面的复合速度（cm/sec） §光在前后表面的反射系数 RF=RF : 在x=0处的反射系数 RB=RB ：在x=L处的反射系数 § 温度 T(K) ● 应用于特定区域的参数 §区域的宽度W 或者式XLAYER(A) §材料的基本参数 EPS : 在温度为T时候的折射率 NC ：温度为T时候导带的有效状态密度 NV : 温度为T时候价带的有效状态密度 EG ：温度为T时候的禁带宽度 EGOP ：温度为T时候的光学带隙 CHI : 温度为T时候电子亲和能 MUN : 温度为T时候电子的迁移率 MUP ：温度为T时候空穴的迁移率 §离散的定域缺陷能级 DLVS是离散类施主能级的数目（0=DLVS=25）； ALVS是离散类施主能级的数目（0=DLVS=25）； ◆ 离散施主能级浓度和电离能 ◎对于全部电离的情况，DLVS=0 ND(i)=NDi ：第i个施主能级的施主浓度 对于部分电离的情况，如果DLVS0（即存在离散类施主能级）,那我们就 需要设置有关第i个离散能级的如下有关参数： ND(i) = NDi : 第i个施主能级带浓度； EDON(i) ：第i个施主能级带电离能，为正，以EC为零点； WDSD(i)=WDi ：第i个施主掺杂带能级带宽度； DSIG/ND(i) : 第i个离散施主能级电子的交叉捕获面积； DSIG/PD(i) : 第i个离散施主能级空穴的交叉捕获面积 离散受主能级浓度和电离能 ◎ 对于全部电离的情况，ALVS=0 NA(i)=NAi ：第i个受主能级的受主浓度 对于部分电离的情况，如果ALVS0（即存在离散类受主能级）,那我们就 需要设置有关第i个离散能级的如下有关参数： a. NA(i) = NAi : 第i个受主能级的浓度； b. EACP(i) ：第i个受主能级带电离能，为正，以EV为零点； c. WDSA(i)=WAi ：第i个受主掺杂带能级的宽度； d. DSIG/NA(i) : 第i个离散受主能级电子的交叉捕获面积； e. DSIG/PA(i) : 第i个离散受主能级空穴的交叉捕获面积 § 连续的定域缺陷能级（在带尾和禁带中部），分为V型和U型 如果是V型，需要以下带参数： GDO ，GAO : 如上图中的表达式带表示的： ED : 类施主尾带的特征能量Ed： EA : 类受主尾带的特征能量Ea： TSIG/ND ：类施主尾带电子的交叉捕获面积 TSIG/PD ：类施主尾带空穴的交叉捕获面积 TSIG/NA ：类受主尾带电子的交叉捕获面积 TSIG/PA ：类受主尾带空穴的交叉捕获面积 ◆ 如果是U型，除了要用到V型中要用带参数以外，还要加上以下的参数： GMGA : 禁带中部类受主能级状态密度GMGa GMGD : 禁带中部类施主能级状态密度GMGd EDA : 转变能级Eda MSIG/ND : 禁带中部类施主能级