首先是空穴产生.docVIP

首先是空穴的产生。当半导体内掺入硼原子后，相当于占据了一个硅原子（锗原子）的位置，因为硼原子最外层只有3个电子，当这些电子与周围硅原子（锗原子）形成共价键的时候，自然就空出一个位置。因此，周围的硅原子（锗原子）的电子很容易就可以跑到空出的位置上，从而形成空穴。所谓空穴的移动，其实是这些电子在移动，方向相反，我觉得这一点和导体内电流方向与自由电子移动相反差不多。 ??? 其次是PN结正负电荷的产生。先要说明扩散运动和漂移运动的区别。扩散运动指的是由于浓度的差异而引起的运动；而漂移运动则是指在电场作用下载流子的运动。当在P型半导体部分区域掺入磷原子或在N型半导体部分区域掺入硼原子之后，由于扩散运动电子和空穴会在交界处复合，磷原子失去电子变成正电荷，硼原子得到电子变成负电荷，形成内部电场阻止多子的扩散。 ??? 当加上正向电压（正偏）且大于0.5V时，在外电场的作用下，多子向PN结运动，负电荷得到空穴中和，正电荷得到电子中和，因而PN结变窄，扩散运动较之前又会变强。同时，因为电源不断补充电子和空穴，使得多子的运动得以持续形成电流。 ??? 当加上反向电压（反偏）时，与内部电场方向一致，多子向PN结反方向移动使PN结变宽，只有少子的漂移运动，因为数目很少，所以形成的反向电流近乎于0，可认为阻断。要注意的是，若反向电压过大，则会导致击穿。原因是电场强制性地将电子拉出变成自由电子；而且当反向