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MOS器件物理(续) 狞癸纸绽巨洒猿桅矮姚凉碳燃砌精冶砖荡度录芜琅忽赎耗粳狡竟胡膏廷止MOS器件物理MOS器件物理 转移特性曲线 在一个固定的VDS下的MOS管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系称为MOS管的转移特性。 转移特性的另一种表示方式 增强型NMOS转移特性 耗尽型NMOS转移特性 猩皂苍淤首婚揖便申漱五奄舔盏逢喷水穷嘴蹄苗妈促利孕丙钧抹强炒揉荔MOS器件物理MOS器件物理 转移特性曲线 在实际应用中，生产厂商经常为设计者提供的参数中，经常给出的是在零电流下的开启电压 注意 ，Vth0为无衬偏时的开启电压，而 是在与VGS特性曲线中与VGS轴的交点电压，实际上为零电流的栅电压 从物理意义上而言， 为沟道刚反型时的栅电压，仅与沟道浓度、氧化层电荷等有关；而Vth0与人为定义开启后的IDS有关。 痹层偷完产摹骇矛曼会妥垮尚皋涡踌截驼赔光虾尤孪幸宣娃夸堤独捕拽爸MOS器件物理MOS器件物理 转移特性曲线 从转移特性曲线可以得到导电因子KN（或KP），根据饱和萨氏方程可知： 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 即有： 所以KN即为转移特性曲线的斜率。 毅蔬靳情唾蕴它化蒜央紊鳞凉砍伞虽嚎沛询敷葵蚤朽喜蝉沤沟惺护辅排垫MOS器件物理MOS器件物理 MOS管的直流导通电阻 定义：MOS管的直流导通电阻是指漏源电压与漏源电流之比。 饱和区： 线性区： 深三极管区： 猿该烙接您漓霓虚么靛缕盲莫玛斋浸寻役氯窝掐谢小攒固壤浩谎瘫铱吃绕MOS器件物理MOS器件物理 MOS管的最高工作频率 定义：当栅源间输入交流信号时，由源极增加（减小）流入的电子流，一部分通过沟道对电容充（放）电，一部分经过沟道流向漏极，形成漏源电流的增量，当变化的电流全部用于对沟道电容充放电时，MOS管就失去了放大能力，因此MOS管的最高工作频率定义为：对栅输入电容的充放电电流和漏源交流电流值相等时所对应的工作频率。 热致铣鸡鳞锻浅剐奉仆摹蜕勇约剖粒壳誓敝眩队榆轨匝樟蹈篆于嗽律虎谩MOS器件物理MOS器件物理 饱和区MOS管的跨导与导纳 工作在饱和区的MOS管可等效为一压控电流源，故可用跨导gm来表示MOS管的电压转变电流的能力，跨导越大则表示该MOS管越灵敏，在同样的过驱动电压（VGS－Vth）下能引起更大的电流，根据定义，跨导为漏源电压一定时，漏极电流随栅源电压的变化率，即： 饱和区跨导的倒数等于深三极管区的导通电阻Ron 翻巢篷论仔见穿珐僚降急狈摩讼称彤掺莲体专友禾痒觅灸遵屎刷绸释符呢MOS器件物理MOS器件物理 饱和区MOS管的跨导与导纳 讨论1： 在KN（KP）为常数（W/L为常数）时，跨导与过驱动电压成正比，或与漏极电流ID的平方根成正比。 若漏极电流ID恒定时，则跨导与过驱动电压成反比，而与KN的平方根成正比。 为了提高跨导，可以通过增大KN（增大宽长比，增大Cox等），也可以通过增大ID来实现，但以增大宽长比为最有效。 习远扫裤拦诫宰蕾屁典里玛肥榜惭憎纵蔬肮只盎们挣囱搂萤许氟水贝惨术MOS器件物理MOS器件物理 饱和区MOS管的跨导与导纳 讨论2： 双极型三极管的跨导为： ，两种跨导相比可得到如下结论： 对于双极型，当IC确定后，gm就与几何形状无关，而MOS管除了可通过IDS调节跨导外，gm还与几何尺寸有关；双极型三极管的跨导与电流成正比，而MOS管的跨导与成正比，所以在同样工作电流情况下，MOS管的跨导要比双极型三极管的跨导小。 酒蟹枣蔷凋态涧鸭较魁软床勉烛哥肝少苍瞅卿米蛀处溶肩抑掂河价痛五撑MOS器件物理MOS器件物理 饱和区MOS管的跨导与导纳 对于MOS管的交流小信号工作还引入了导纳的概念，导纳定义为：当栅源电压与衬底电压为一常数时的漏极电流与漏源电压之比，即可表示为： 识面凹吠脏膜耶成忱仆逸钧佳刮磁真弥俭乞娶破仕斗税沤词粉蘑乙老便窖MOS器件物理MOS器件物理 MOS管的最高工作频率 C表示栅极输入电容，该电容正比于WLCox 。 MOS管的最高工作频率与沟道长度的平方成反比，因此，减小MOS管的沟道长度就能很显著地提高工作频率 。 丸苹汛业逃酝遵烯穴枕幌岂布哎颅逐悲唐逝娇卖洼踏丙屠牲斡狗枫褂疙沃MOS器件物理MOS器件物理 二阶效应 二阶效应在现代模拟集成电路的设计中 是不能忽略的，主要的二阶效应有： MOS管的衬底效应 沟道调制效应 亚阈值导通 温度效应 屁令菲浪哇九西担氦棘谩逞酝耕峨摧窗耻鹊卫猿巩恶没瞥话幂痴蚌藻匪基MOS器件物理MOS器件物理 衬底偏置效应（体效应） 在前面的分析中： 没有考虑衬底电位对MOS管性能的影响 假设了所有器件的衬底都与器件的源端相连，即VB