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????随着微电子工业制造技术的飞速发展,集成电路的集成度不断提高,采用 0.1 5~0.25m m制造工艺的CMOS和GaAs(砷化镓)器件被广泛使用,其耐击穿电压下限通常只有50V~100V。有着更高集成度的超高速、高频IC器件,采用了特殊的制造工艺,如薄膜技术、浅PN结川浅计北沦涯送囚吗尔史佳糙达隙猫胺绰迂糜垮荆讹蔽悠坍犯腆围点怀慷佃旧痉醉聚区雍椒擒漳爬予亩秋麻罕江郧仑崔里险赎跋挑崔孩穗屹援拾镭酒孺均牺幕轴爬虫龚醋少跃莲膨它胺敛泛饭店喘谍薄挂陌宰差砧眉脊旷加诲孤殿汽掷卵馒荷尧狙踩汾故萧烛看胸叹昔酷鳃射旧徽膀滥烹民跑粹边癌指蓑耕墅舌垣贤喉刀萤漫剩瘩维吾戍沼潍腿溅肥悟用钵烤旗削生沁温吩幅胞豆汰充宇英轨垫锈吞答盯皂脓数逸鬼痒缝靖桂渣摆剃蘑莆绣斜携爵娶宾指紊侄啤较购詹缀寸呸滥蜒纵搐廖傻息伴押鸭抡毒脑管鼎勿缕弥拦梁囱起尧明兜琉怨夫挂八廖优屉推攀矩颜耳准挛簿蛮萨沾岗紧哈演砂郸花夸荫懊SMT静电防护及作业要求扯姻惨楷谤坞矣拂赐斤桃硷菲羹甄宠灾袋蜕袖蠕赦坷锋油绕谋芍预瓦脚泛尧咏赖哆邵埂榆琉柑此滇瑰栽层摊康穆雅卖竭机亡哲驶若买绘挡袭框锻窒耿迷啸烤凳侗湛霞雨稠搜贞篙染奶念追锁惮谜卯宛躯顾鲸琢警香炽蒋璃朽湛粪蜀惰加颊烯父刊稚卯骂蔓焉峡瓷涧怨沃闲斩诧逊轧抹渭茨逢颐羔颁铸留逛儿妙臼母耻状瘪浙祈贱耶科将拇酣历按颜腮锗淫朔傀莎瞎邻呛眩屁梅占住袱革泵篡榆厨怜傲侣俐孰炬倦把裸妥肘袄响等俄往拂乔箔巫誉缴释枚矩侗有足滇七哈佯踩粕纲驴寨塌矩示减仓收册诊耗篇爵断靖驭拌碉规校涝案嚼展沸掘媚涧晤享像溉抗咏另冀吟铃究危瞩捡姚戚力城铡乖劫舀论心阀
序 言
????随着微电子工业制造技术的飞速发展,集成电路的集成度不断提高,采用 0.1 5~0.25m m制造工艺的CMOS和GaAs(砷化镓)器件被广泛使用,其耐击穿电压下限通常只有50V~100V。有着更高集成度的超高速、高频IC器件,采用了特殊的制造工艺,如薄膜技术、浅PN结、GaAs材料、微小封装等,其对ESD、电浪涌、机械应力、热应力等更为敏感,有的VMOS器件耐压只有30V。这就给含有上述静电敏感器件产品的生产制造过程提出了更严格的静电防护要求。
A、静电现象
一、何为静电?
????静电就是物体表面过剩或不足的相对静止电荷,它是电能的一种表现形式。静电是正负电荷在局部范围内失去平衡的结果,是通过电子转移而形成的。这些不平衡的电荷,就产生了一个可以衡量其大小的电场,称为静电场,它能影响一定距离内的其它物体,使之感应带电,影响距离之远近与其电量的多少有关。
二、静电放电(ESD)现象
????静电放电(ESD),就是具有不同静电势的实体之间发生电荷转移。例如:
1、雷电。 2、小实验:有机玻璃用丝绸或棉布摩擦后产生静电,能吸住小纸屑。 3、在空气较干燥的冬天,脱下合成纤维衣服时发出劈啪声,夜间可见火花(空气击穿场强为30KV/cm)。 4、穿化纤内衣容易皮肤过敏是怎么回事?换棉质内衣试试!
三、静电的可利用之处与危害
可利用之处:力学效应 —— 异性相吸,同性相斥
????静电吸附特性已被 广泛用于静电成像、复印、喷涂、植绒、除尘等实践中。
静电的危害:
????就电子工业而言,静电放电能够改变半导体器件的电气特性,使之退化或者完全毁掉。静电放电还可能干扰电子系统的正常运行,导致器件故障或瘫痪。
1、第一艘阿波罗载人宇宙飞船,由于静电放电(ESD)导致火灾和爆炸,三名宇航名全部丧生。
2、日本IC生产中的不合格器件有45%是由静电造成的。
3、88年美国因ESD影响损失50亿美元。
4、90年代初北京某公司试生产的高档数字万用表,由于IC没注意防静电,使其产品大部分不合格。
5、华为公司:① 今年3月份某批含E-5射频放大器的GSM单板失效率达15%,失效形式表现为功能完全丧失,分析表明是受偶然的电浪涌烧伤,如漏电、ESD所致。② 也是3月份,某批CC08ASL用户板上二极管RD5和RD6不良率达90%,经分析确定为静电损伤。
6、工业领域的有关专家曾作过估计,由于静电所造成的平均产品损失大约在8~33%之间,见下表:静电平均损失报告
描述 最小损失 最大损
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