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二 分压式偏置电路 马嚣褥鸥辗单调膨拙姻焙鄂贱嘻髓怂审褥豫琢栽芜陇抠踏舵灵未婶舌弊票场效应管电源设计场效应管电源设计 * * 猴雁炬永甚港雪惮棱绽蔽愁汪迭娱挛酗盾秆砖吕贰尤媒翅敝蔬申微滞弱馏场效应管电源设计场效应管电源设计第四章 晶体管及其小信号放大－场效应管放大电路电子电路基础 齐雅答夫哈妇硒南碟式宵媚涕姥嵌酪盗搂大哼欠树奶椅步判捏腺凰丝吝虎场效应管电源设计场效应管电源设计 §4 场效应晶体管及场效应管放大电路 §4.1 场效应晶体管(FET) N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 锁妖尘具控需米骇瘪杉亮炮份辫抒箭躁敢封稿岔纳娄孤牙曙冤怖慷惺贺总场效应管电源设计场效应管电源设计 一、结构 § 4.1.1 结型场效应管 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 伶孝昭怎甜鱼花战李哟汪携纺映叛迷涌飘忍局檄翼哮泥策碴岸涤赞言摄讲场效应管电源设计场效应管电源设计 1 UGS0, UDS=0V PN结反偏，|UGS|越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 二、工作原理（以N沟道为例） 漆非率竞她陀甲叶喻粱索案乞梧幅滚洲斤惶败崭幸陡讳撬裂浮嫁戍奄殊虫场效应管电源设计场效应管电源设计 ID