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4.主要应用元件选择 分离型PWM IC 4.主要应用元件选择 需要考虑的主要参数如下： Vin，Vcc及Boot to SW 决定了电路的应用电压 Vout 决定了输出电压范围 Io决定的最大负载 Fs决定了应用频率范围 Tj决定了应用温度 4.主要应用元件选择 MOSFET参数表（Static @ TJ = 25°C） 4.主要应用元件选择 MOSFET参数表（Static @ TJ = 25°C） 4.主要应用元件选择 BVDSS-漏源击穿电压 ΔBVDSS/ΔΤj-失调电压温度系数 RDS(ON) -漏源通态电阻 VGS(th)-开启电压 IDSS-零栅压漏极电流 IGSS-栅源漏电流 Gfs-跨导的定义为漏极电流的小变化与相应的栅源电压小变化量之比，即gFS=△ID/△VGS。典型的跨导额定值是在1/2额定漏极电流和VDS=15V下测得. Qgs, Qgd, 和 Qg ：栅电荷栅电荷值反应存储在端子间电容上的电荷，既然开关的瞬间，电容上的电荷随电压的变化而变化，所以设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。Qgs从0电荷开始到第一个拐点处，Qgd是从第一个拐点到第二个拐点之间部分（也叫做“米勒”电荷），Qg是从0点到vGS等于一个特定的驱动电压的部分 4.主要应用元件选择 ID - 连续漏电流定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。 PD -容许沟道总功耗容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗，可以表示为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。 TJ, TSTG-工作温度和存储环境温度的范围这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。 Ciss ：输入电容将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。 4.主要应用元件选择 Coss ：输出电容将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振 Crss ：反向传输电容在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输 td(on) ：导通延时时间导通延时时间是从当栅源电压上升到10%栅驱动电压时到漏电流升到规定电流的10%时所经历的时间。 4.主要应用元件选择 td(off) ：关断延时时间关断延时时间是从当栅源电压下降到90%栅驱动电压时到漏电流降至规定电流的90%时所经历的时间。这显示电流传输到负载之前所经历的延迟 tr ：上升时间上升时间是漏极电流从10%上升到90%所经历的时间。 tf ：下降时间下降时间是漏极电流从90%下降到10%所经历的时间 4.主要应用元件选择 电感参数如下图 Irated-饱和电流或者是Heatingcurrent，取两者中较小的值。 Inductance@0ADC和Inductance@ Irated -电感在负载为0安培和Irated环境下的感量。 DCR-直流阻抗。 Saturation Current-在不同温度下的饱和电流。 Heating Current-电感温度在30分钟内升到40度的电流值。 4.主要应用元件选择 电容参数如下图 Size code-一般指焊接引脚间距。 Rated Voltage-直流耐压 Rated Capacitance-容量。 E.S.R-伴生串联电阻。 Rated Ripple current-涟波电流。 Tangent of loss angle-在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为损耗角正切。 Leakage current：实际使用中电容的漏电流。 5.Power budget意义及制作 Power budget 意义在于明确电流分布，指导设计中解决方案和各种元器件参数的选择。 一份好的Power budget可以为设计及后期检查作出明确指导，节约大量时间。 5.Power budget意义及制作 Power Budget 要求如下： 1.