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真空鍍膜技術 蒸發源（Vapor Source） 蒸發率 Pu：10-3 torr蒸氣壓 M：a Mol of the substance being evaporated T：Temperature in °K a：condensation，大約為1 所以蒸發率與蒸氣壓最有關。 在各種薄膜材料的特性資料上，除了Melting point 之外還有vapor pressure，以及在10-2 torr或10-1～10-2 mbar時之溫度。 （如表二-1.1和表二-1.2） 氧化膜（Oxide surface layers） 真空腔常常會有很多水氣，因此許多金屬在蒸發時表面會有一層氧化膜，這些氧化膜是不會蒸發的，則金屬被包在氧化層中間，不容易蒸發。 有些活性較強的金屬會在蒸發源上流動或潤濕，如此則表面之氧化膜破裂，而得以蒸發。 鍍膜時需要一個蒸發源，蒸發源如圖五(a)稱為鎢舟，鎢舟兩邊加上電壓產生電流，產生電流後即產生熱量，持續加熱到剛才所說的溫度就會蒸發上去，圖五上還有各種形狀的鎢舟或鉬舟。 將鉻勾放在螺旋狀鎢絲上加熱蒸發，因為吸附力＞內聚力，則鉻會附在鎢絲上。 此時會有少量金屬在加熱器（鎢絲）上流動，因為 （R 為電阻， ＝電阻率， ＝長度，A＝截面積）， 鎢絲變粗，電阻下降，又 （W 為功率，I