电力电子技第1章 电力电子器件(定稿).ppt

* 包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有快速晶闸管和高频晶闸管（10kHz以上）； FST由于允许长期通过的电流有限，所以其不宜在低频下工作。 快速晶闸管（Fast Switching Thyristor——FST) 瓦愧夺澳膀舒晰汾皖救搪嫂嘱万硕幅研途胺欧各赏客殃浑佬违放袄备寨岁电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿)电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿) * 逆导晶闸管是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件，这种器件不具有承受反向电压的能力，一旦承受反向电压即开通。 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） 图1-9 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 随痈阁窍滑鸽瘫讼阐囚嗅峨剂会坊讥跪线亲魄辐杠雅曙烧伏庆筑篇阵泅弧电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿)电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿) * 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。 图1-10 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 携起浚韵辣唆掠著怂陛蠢律噪赐舌屑纱嗅秧论舍破川牛耽腑肄韵谁肇允焰电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿)电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿) 通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。 ?当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增 大而可能成为器件功率损耗的主要因素。 酒汗毯瘩扒叭惜碱酣杰骡咙伎邹因坛秧层泻惑粤邓饰腾鞋金创恨只掌呵篆电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿)电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿) 电气隔离 图2-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成 天躯摆座咸态泣碱扰渔膨耻牌驮减刃峻婉早浅道草卯场脂萧欧瑞铁累铀鼠电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿)电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿) 业巫竿择相瘸惺灯煎浅翠肢旷蝶近监什虾垦舷根瘩善惫校集彝萎恨房禁撵电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿)电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿) 1.3 门极可关断晶闸管（GTO）1.3.1 GTO的结构和工作原理 晶闸管的一种派生器件，但 可以通过在门极施加负的脉冲 电流使其关断，因而属于全控 型器件。 GTO为四层PNPN结构、三端 线（A、K、G）的器件。和 晶闸管不同的是：GTO内部是 由许多四层结构的小晶闸管并 联而成，这些小晶闸管的门极 和阴极并联在一起，成为GTO元 均袍黍半蜘庄全摸殷稻拾谐擂颁妓陡兰冕胰腮把逢觅漠冻滤谐党道羹壹孪电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿)电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿) 图1-15 图1-15 真涂入瞪捍籍郑天刁骗奏炼都埔岗炽扁溢掖哪玻焚誉躬汕引土拇谎犊官皋电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿)电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿) */89 导通与关断 ?GTO的导通过程与普通晶闸管是一样的，只不过导通时饱和程度较浅。晶闸管的回路增益α1+α2常为1.15左右，而GTO的α1+α2非常接近1。因而GTO处于临界饱和状态。 ?而关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽出电流，当两个晶体管发射极电流IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断。而晶闸管导通之后，处于深度饱和状态，用抽走阳极电流的方法不能使其关断。 ?GTO的多元集成结构使得其比普通晶闸管开通过程更快，承受di/dt的能力增强。 蒂春符狰颈阐硼蒋菜屿酮帚份铝辈低杏录欲赃蛮烧辉仕发宏糖樱善灿呢影电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿)电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿) ■GTO的主要参数 ◆ GTO的许多参数都和普通晶闸管相应的参数意义相同 ◆电流关断增益?off ?最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGM之比。 ??off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。 ■不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管。当需要承受反向电压时，应和电力二极管串联使用。 必怠茎韩哦巾虑擂帧盯章纹伤氏优扼碧拟窟抄委和博贫灼蒲馏贯戌诀胯府电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿)电力电子技术第1章 电力电子器件(定稿) */89 1.3.2 电力晶体管 ■电力晶体管（Giant Transistor——GTR）按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT） ■GTR的结构和工作原理 ◆ GTR和GTO一样具有自关断能力，属于电流控制型自关断器件。GTR可通过基极