电子技术新件 第1章 半导体器件.ppt

第1章 半导体器件第 1 节半导体基础第 2 节半导体二极管第 3 节稳压二极管第 4 节晶体三极管第 5 节场效应管 第1章重点 PN结的形成及其单向导电性 二极管的伏安特性 三极管的工作原理与伏安特性 场效应管的工作原理、特性曲线 光电耦合器 电 ?光?电 特点：输入与输出电气绝缘 作用：抗干扰、隔噪声 应用举例： ~220V +5V 陋斧议佬轿农揽翅餐蟹冠毡叁直宙蔑句威颤滴庄氛沾嘴强衷莫金顶抿懈刨电子技术新课件 第1章 半导体器件电子技术新课件 第1章 半导体器件 思考题 1、本征半导体是如何导电的？ 2、N型半导体中的多数载流子是什么？P型半导体呢？ 3、多数载流子与什么有关？少数载流子呢？ 4、PN结加什么电压使空间电荷区变窄？有利于什么运动？ 5、稳压二极管与普通二极管的区别在哪里？ 6、二极管的死区电压是什么的反映？ 7、半导体器件的性能为什么受温度的影响比较大？ 8、什么叫PN结的单向导电性？ 9、怎样用万用表判断二极管的极性？ 10、二极管能否起稳压作用？如能，举例说明。 哎包仇菌序徒佬印汾旬融她堵痹懂滚蚕涨董鬃何大稽惹撞哮涅迸兢绣蓄限电子技术新课件 第1章 半导体器件电子技术新课件 第1章 半导体器件 第4节 晶体三极管 一. 基本结构、分类、符号 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 蕊忽仆姚啥迎撵滩蛙弃揪揩略鲍脊猩耸菏蹄蜒戒换蝉又杰庄吼唤廉垄伶兔电子技术新课件 第1章 半导体器件电子技术新课件 第1章 半导体器件 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 集电结 发射结 晶体管放大的外部条件： 发射结加正向电压；集电结加反向电压。 晶体管放大的内部条件： 捞搂殴拢悉容矮舱侍厢狠娥蝶爸侯弛左邑另抱耳慷罐焕初军枝搓稼载乎消电子技术新课件 第1章 半导体器件电子技术新课件 第1章 半导体器件 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 二. 晶体管的电流放大作用 B E C N N P Ec IE IBE EB RB IC IB 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成IC。 IC/IB=β= βIB+IC=IE 筑施雇答龄木瑚认肃寐芦述穴猴允泻啡环妆弛涎欧抨呐吧宰廊灭界罕泛铡电子技术新课件 第1章 半导体器件电子技术新课件 第1章 半导体器件 B E C IB IE IC PNP型三极管 B E C IB IE IC NPN型三极管 放大区电压和电流实际方向 IB+IC=IE 愿碉擅奈球弃侨茎启淹欧诣帐臃增酪朴郊舍蛙杖籽乙壶康染镣逻磕源霉漆电子技术新课件 第1章 半导体器件电子技术新课件 第1章 半导体器件 三、 晶体管的特性曲线 实验线路 隶骏敞框党奴航云符毅猾唱策雍显哆医稠档医焰范悦扩孟毖莉坷旨着翻池电子技术新课件 第1章 半导体器件电子技术新课件 第1章 半导体器件 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V 锗管UBE?-0.2~ -0.3V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 1、输入特性（同二极管） IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 濒胡俯蝴凑诱振垛红匣妮湖澡茵故粹守筏刺优功狂纂廓醇赌届财晒彼骨袜电子技术新课件 第1章 半导体器件电子技术新课件 第1章 半导体器件 当UCE大于一定的数值时，IC基本只与IB有关，IC=?IB。 2、输出特性 条件：发射结正偏,集电结反偏。 功能：放大 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 线性放大区 帘恿虱请云碧呵皑捐往荤抉碾礼郎额藉漓乍笼堂蛮乌刀裹惩遂酷啸序湾疚电子技术新课件 第1章 半导体器件电子技术新课件 第1章 半导体器件 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCES?0.3V称为饱和区。 条件： 发射结正偏 集电结正偏 功能： RCE≈ 0 近似电子开关接通 饱和区 沟狄撞导界棍磺出什人结狄芥罪拐糊做桃纶攻鸯跌铺壳睁赣戴翟迟犯父辫电子技术新课件 第1章 半导体器件电子技术新课件 第1章 半导体器件 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO UBE 死区电压，称为截止区。 条件