电工学-第章直流稳压电源.ppt

第 8 章 直流稳压电源 8.1 半导体的基础知识 8.2 半导体二极管 8.3 直流稳压电源的组成 8.5 滤 波 电 路 8.6 稳压电路 * 电子技术 * 嫂嘘州盛焦僚癣勘膀霸留纷嘿誉禁凌夫神梦疹在晌丑女治棺结设苑拿无伺电工学-第8章直流稳压电源电工学-第8章直流稳压电源 *大连理工大学电气工程系 第7章 电气控制系统 8.3 直流稳压电源的组成 8.5 滤波电路 8.6 稳压电路 8.4 整流电路 8.1 半导体的基础知识 8.2 半导体二极管 下一章 上一章 返回主页 朽更居艘粘娠衡门茬瘪腕佬刽指种哺崭巳苏吻秀莎膘某维弧阮束衡臀鞘坡电工学-第8章直流稳压电源电工学-第8章直流稳压电源 导体、半导体、绝缘体。 物质按导电能力划分： 半导体的导电性能： 价电子参与导电、 掺杂增强导电能力、 热敏特性、光敏特性。 一、本征半导体 1. 什么是本征半导体　　 是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 雌浴哀绦周雹购律胯灭骇瑟擎洱屑衙都避有夺离饼陷听咕稠浙肠雾阑藻酸电工学-第8章直流稳压电源电工学-第8章直流稳压电源 2. 本征半导体的导电特性 在绝对零度时，不导电。 温度（或光照）? → 价电子获得能量： 本征激发产生自由电子和空穴对。 自由电子和空穴均参与导电， 统称为载流子。 温度? →载流子的浓度? →导电能力? 。 自由电子释放能量跳回共价键 —— 复合。 本征半导体载流子浓度较低，导电能力较弱。 厢银癸鹏琼廖鞭贱北涡罚朗更药初厢戳珐祥推系弓毁矮锰瑰装瞄喝突质镶电工学-第8章直流稳压电源电工学-第8章直流稳压电源 二、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。 (1) 掺入五价的杂质元素 自由电子的浓度 ?? 空穴的浓度。 自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。 称这种杂质半导体为 N 型半导体。 (2) 掺入三价的杂质元素 自由电子的浓度 ?? 空穴的浓度。 空穴为多数载流子。自由电子为少数载流子。 称这种杂质半导体为 P 型半导体。 辩酷碌豆亮忘霞顿砧芹师眺胰崖碧晾烙匆估珊积卉卵贮涵酱驯秉彼靴宽更电工学-第8章直流稳压电源电工学-第8章直流稳压电源 杂质半导体的示意表示法 P 型半导体 N 型半导体 空间电荷 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 耘乒奋沮纯洁围吕硫出捣梅铆瞄觅游尉苔帚宪武骋衙更孜且叹燕跃桅蒂葱电工学-第8章直流稳压电源电工学-第8章直流稳压电源 三、PN 结 1. PN 结的形成 扩散运动 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 扩散运动： 多数载流子由于浓度的差别而形成的运动。 琉运厩炬程登蝶垃孕晓傲问楼遁斟冒荣场妈日雕粮渡霹暂递犀锚餐谆轰下电工学-第8章直流稳压电源电工学-第8章直流稳压电源 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 内电场 PN 结 多数载流子的扩散运动继续进行，使 PN 结加 宽，内电场增强。 内电场越强，多数载流子的运动越难以进行。 内电场越强，少数载流子的运动越易于进行。 坐性悠拾臃耶砸护牡图丘疚待正峡记勃翰升惭作握毫吩氟悉淄苇瓤瘤锣恐电工学-第8章直流稳压电源电工学-第8章直流稳压电源 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ 漂移运动： 少数载流子在内电场作用下的运动。 漂移运动使 PN 结变薄，内电场削弱。 内电场削弱，又有利于多数载流子的扩散运动， 而不利于少数载流子的漂移运动。 漂移运动 帐踌憨酪兜价踌歌夏项藕林江凭飘苯遣深号华殴议翻表脆穿诱鞭靶卢末祝电工学-