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半导体热敏电阻(温度越高电阻越小),C为电容器. 当环境温度降低时( ) A.电容器C的带电量增大 B.电压表的读数增大 C.电容器C两板间的电场强度减小 D.R1消耗的功率增大 解析 降温,则R2↑,则UC=UR2↑,Q=CUC↑,A项正确.R总↑,则U外↑, ↑,B项正确.I总↓,P1=I2R1↓, D项错误.C板间E= ↑,故C项错误. 答案AB 7.(2009·深圳市5月第二次调研)在如图16所示的电 路中,电源电动势为3.0 V,内阻不计,L1、L2、L3为 3个特殊材料制成的相同规格小灯泡,这种小灯泡 的伏安特性曲线如图乙所示,当开关S闭合后( )A.L3两端的电压为L1的2倍 B.通过L3的电流为L2的2倍 图16 C.L1、L2、L3的电阻都相同 D.L3消耗的电功率为0.75 W 解析 由电路连接知,U1=U2,且U1+U2=U3=E=3.0 V, 由此知A项正确.L3的电阻R3==12 Ω,L1、L2 的电阻R1=R2=Ω=7.5 Ω,由此知B、C项错 误.P3=W=0.75 W,故D项正确. 答案 AD 8.(2009·韶关市第二次模拟)如图17所 示,线圈由位置A开始自由下落,如果 在磁场中受到的磁场力总小于重力, 则它通过A、B、C、D四个位置时 (B、D位置恰使线圈面积有一半在 磁场中),加速度的关系为 ( ) A.aAaBaCaD B.aA=aCaB=aD C.aA=aCaDaB D.aA=aCaBaD 图17 解析 在A、C处只受重力,故aA=aC=g;在B、D处,a=,由于vBvD,故aBaD,由此知D项正确. 答案 D 9.(2009·安庆市第三次模拟)如图18甲所示,固定在 水平桌面上的光滑金属框架cdef处于方向垂直纸面 向里的匀强磁场中,金属杆ab与金属框架接触良好. 在两根导轨的端点d、e之间连接一电阻,其他部分 电阻忽略不计.现用一水平向右的外力F作用在金 属杆ab上,使金属杆由静止开始向右在框架上平行 滑动.图乙为一段时间内金属杆受到的安培力F安随时间t的变化关系,则下列各图中可以表示外力F随时间t变化关系的图象是( ) 图18 解析 ab棒受F安=BIL=BL·,F安∝v,由图乙知v在均匀增大,设v=at,即加速度a为恒量.对棒由牛顿第二定律得F-F安=ma,得F=F安+ma=+ma,故选项D正确. 答案D 10.(2009·芜湖市模拟)矩形金属导线框ABCD固定 在水平面内,匀强磁场区域abc沿着矩形线框的对 称轴线匀速穿过矩形导线框,如图19所示.若规定 导线框中的顺时针方向为电流的正方向,那么在磁 场区域穿越ABCD导线框的过程中,导线框中产生 的感应电流可以用下列哪个图象来定量描述( ) 图19 解析 磁场向右以v运动,相当于ABCD向左以v运动,相当于AD边或BC边有关导体做切割运动而产生i,由i= 方法分析i的大小变化,由右手定则分析i的方向,得C项正确. 答案 C 11.(2009·济南市模拟)水平固定 的光滑U形金属框架宽为L,足够 长,其上放一质量为m的金属棒 ab,金属棒的电阻为R,左端连接 有一阻值也为R的电阻(金属框架及导线的电阻均 可忽略不计),整个装置处在垂直纸面向里的匀强 图20 磁场中,磁感应强度大小为B.现给棒一个初速度v0,使棒始终垂直框架并沿框架运动,如图20所示,若金属棒从开始运动至稳定状态的过程中通过电阻R的电荷量为q,对此过程,下列说法正确的是( ) A.金属棒克服安培力做功为 B.电阻R中产生的热量为 C.金属棒通过的位移为 D.金属棒通过的位移为 解析 棒运动而受到的安培力F安=BIL=,由此知棒在做减速运动,最后停止运动.由功能转化关系得克服安培力做功W=ΔEk==Q热,故A项正确. QR= Q热=,故B项错误.此过程q=,故位移x= ,C、D项均错. 答案 A 12.(2009·汕头市二模)如图21所示, MN、PQ是与水平面成θ角的两条 平行光滑且足够长的金属导轨,其 电阻忽略不计.空间存在着垂直于 图21 轨道平面向上的匀强磁场,磁感应强度大小为B.导体棒ab、cd垂直于导轨放置,且与轨道接触良好,每根导体棒的质量均为m,电阻均为r,轨道宽度为L.与导轨平行的绝缘细线一端固定,另一端与ab棒中点连接,细线承受的最大拉力Fm=2mgsinθ.今将cd棒由静止释放,则细线被拉断时,cd棒的( ) A.速度大小是 B.速度大小是 C.加速度大小是2gsin θ D.加速度大小是0 解析 绳刚好拉断时,对ab有2mgsinθ =mgsinθ
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