chapter15基本放大电路导论.ppt

3. 场效应管的主要参数 (1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： (3) 饱和漏电流 IDSS： 是结型和耗尽型 MOS管的参数 (4) 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流的控制能力 极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。 场效应管与晶体管的比较电流控制电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 类 型NPN和PNPN沟道和P沟道 放大参数rce很高rds很高 输出电阻 输入电阻 较低 较高双极型三极管单极型场效应管 热稳定性差好 制造工艺较复杂简单，成本低 对应电极B—E—CG—S—D 15.11.3 场效应管放大电路场效应晶体管具有输入电阻高、噪声低等优点，常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放大电路。场效应管的源极、漏极、栅极相当于双极型晶体管的发射极、集电极、基极。场效应管的共源极放大电路和源极输出器与双极型晶体管的共发射极放大电路和射极输出器在结构上也相类似。场效应管放大电路的分析与双极型晶体管放大电路一样，包括静态分析和动态分析。1.自给偏压式偏置电路 15.11.3 场效应管放大电路 栅源电压UGS是由场效应管自身的电流提供的，故称自给偏压。 UGS = –RSIS= –RSID +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS T为N沟道耗尽型场效应管 增强型MOS管因UGS=0时， ID? 0，故不能采用自给偏压式电路。 +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS 静态分析可以用估算法或图解法( 略 ) 估算法： UGS = – RSID 将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID; 由 UDS= UDD –ID(RD+ RS) 解出UDS 列出静态时的关系式 对增强型MOS管构成的放大电路需用图解法来确定静态值。 +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS 例：已知UDD =20V、RD=3k?、 RS=1k?、 RG=500k?、UGS(off)= –4V、IDSS=8mA， 确定静态工作点。 解：用估算法 UGS = – 1? ID UDS= 20 – 2（ 3 + 1 ）= 12 V 列出关系式 解出 UGS1 = –2V、UGS2 = –8V、ID1=2mA、ID2=8mA 因UGS2 UGS(off) 故舍去 ， 所求静态解为UGS = –2V ID=2mA、 2. 分压式偏置电路 (1) 静态分析 + – +UDDRS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG + + – RL ui uo 估算法： 将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID; 由 UDS= UDD – ID(RD+ RS) 解出UDS 列出静态时的关系式 流过 RG 的电流为零 (2) 动态分析 电压放大倍数 RG1 RD RG2 RG + – RL + – S D G T 交流通路 输入电阻 输出电阻 RG是为了提 高输入电阻ri 而设置的。 3.源极输出器 +UDDRS C2 C1 RG1 RG2 RG + – RL ui uo + – + RG1 RS RG2 RG + – RL + – S D G T + – 交流通路 电压放大倍数 特点与晶体管的射极输出器一样 当场效应管工作在可变电阻区时，漏源电阻： 场效应管可看作由栅源电压控制的可变电阻。 U DS －1V －1.5V UGS=－0.5V 0 ID/mA 15 20 12 4 8 12 15 4 8 －2V －2.5V | UGS |愈大，RDS愈大。 N沟道结型场效应管的转移特性 应用举例： Ui?? Uo? ? | UGS| ?? RDS ?? AuUo ? +UCC 放大器 整流滤 波电路 uo ui * * * * * * * * * * * 1. 零点漂移的抑制 uo= VC1 － VC2 = 0 uo= (VC1 + ?VC1 ) － (VC2 + ? VC2 ) = 0 静态时，ui1 = ui2 = 0 当温度升高时?IC??VC? （两管变化量相等）对称差动放大电路对两管所产生的同向漂移都有抑制作用。 +UCC uo ui1 RC RB2 T1 RB1 RC ui2 RB2 RB1 + + + – – – T2 2. 有信号输入时的工作情况两管集电极电位呈等量同向变化，所以输出电压为零，即对共模信号没有放大能力。 (1) 共模信号