半导体物理_第2讲讲义.pptVIP

禁带讨论 禁带受温度，压力影响 与温度关系 或 其中，α、β与半导体种类有关；dEg/dT为温度系数。 一般有T增加，Eg增加。 禁带讨论 与压力关系 压力改变，能谷位置可能发生改变，可能由直接带隙半导体转为间接半导体。 Eg主要决定子半导体性质，可以由实验测量。 思考 什么是空穴，怎么形成的？与电子有什么区别？怎样参与导电？ 什么是等能面？K空间的概念是什么？Si,Ge的等能面为何种形状？通常用什么方法来测有效质量？ 什么是直接带隙，什么是间接带隙？代表性的半导体是什么？ 1.4本征半导体机构　空穴 1.4本征半导体机构　空穴 半导体与金属的区别： 金属只是电子对导电有贡献，不具有空穴这项机构，与半导体有明显地不同； 半导体的导电机构不空穴和电子。我们通过选择和控制空穴及电子的流动来制备各种重要的器件。 1.4本征半导体机构　空穴 空穴的特点： 具有正电荷，及原来的电子速度； 空穴由高至低能态，电子由低到高能态； 空穴有效质量： mp* 电子： 空穴： 1.4本征半导体机构　空穴 1.4本征半导体机构　空穴 1.4本征半导体机构　空穴 两种载流子的意义 更加容易描述半导体导电工作原理 出现了N，P两种半导体 §1.4本征半导体机构　空穴 1.5 等能面和能量极值 一.K空间等能面 由E(k)-K关系，可以找出其等能面： 一维时： 三维时： 对应于许多不同的(kx,ky,kz)，有相同的E值，这些值可构成一个封闭的面，称等能面。 K空间 1.5 等能面和能量极值 2.对于各向异性的晶体 定义适当的座标系kx,ky,kz,沿不同的方向导带底电子有效质量mx*,my*,mz*,在k0附近有： 3.Ge,Si情况： 纵轴： 横轴： 1.5 等能面和能量极值 对于Ge,Si来说，等能面为椭球面，两个方向上的有效质量相等 1.6 Si,Ge的能带结构 直接带隙： 电子从价带最大能量处跃迁到导带最低能量处是可能的； 跃迁不涉及晶体中电子波矢k的变化； 在迁移中涉及的能量由光子的吸收和发射来平衡。光子的能量hv=Eg。 1.6 Si,Ge的能带 间接带隙 电子不能直接从价带最大能量处跃迁到导带最小能量处； 在跃迁中涉及到晶体电子波矢k的变化； 迁移过程中涉及能量变化由热或热和光来进行平衡。 1.6 Si,Ge的能带 1.6 Si,Ge的能带 §1.6 Si,Ge的能带 硅和锗的能带结构 回旋共振：常用此实验来测有效质量。把一块半导体样品放在磁场中，以电磁波通过半导体样品，当交变电磁场频率等于回旋频率时，就会发生共振吸收。测出共振吸收时电磁波的频率及磁感应强度，就可以利用下式算出有效质量。 1.6 Si,Ge,GaAs的能带 硅和锗的能带机构 Si,Ge：间接带隙半导体，导带最低点与价带不在同一布里渊区。 硅的能带 硅和锗的能带结构 其它特性 对于一个K，E(k)可能有两个值。通常在其价带k=0处有两个能量值，说明硅、锗中有两种有效质量不同的空穴，可分为重空穴(mp) h,轻空穴(mp) l； 硅和锗等四族元素可构成混晶体，能带结构随元素的成分而变化。可写为Si1-xGex (0=x=1),x称为混晶比。 1.7　III－V族半导体的能带结构 代表性半导体：GaAs GaAs: 直接带隙半导体，导带最低点与价带在同一布里渊区。Eg=1.519eV 导带中最主要的是导带最低点，次能谷影响也较大。 　　价带中有一个重空穴带，一个轻空穴带和由于自旋－轨道耦合分裂出来的第三个能带。 GaAs能带 1.7　III－V族半导体的能带结构 GaP和InP 也具有闪锌矿结构 价带极大值位于k=0处 导带极小值在[100]方向 GaP　Eg=2.27eV InP Eg=1.34eV 1.8 II-VI族化合物半导体能带结构 代表性半导体：硫化锌，硒化锌，碲化锌 导带极小值和价带极大值在k=0处。 价带也包含重空穴，轻空穴及自旋－轨道耦合出来的第三个能带。 其它：碲化镉、碲化汞等 1.9　宽禁带半导体 一般把禁带宽度等于或大于2.3eV的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。 代表性半导体材料：SiC,金刚石，II族氧化物，II族硫化物，II族硒化物，III族氮化物合金。 应用最广泛的：SiC，GaN及III族氮化物 特点：禁带宽度大，热导率高、介电常数低 适合于制作高频、高功率、高温等器件 此外还利用其宽禁带的特点，制备出蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探测器件 1.9　宽禁带半导体 GaN、AlN 呈现稳定的纤锌矿结构(WZ) 在高压下，会发生相变为氯化钠结构；在异质外延生长时，会呈现闪锌矿结构(ZB)。 纤锌矿结构