半导体物理2013(第八章)讲义.ppt

与B-T实验相关的例题解析： 一、在一个P型半导体构成的MIS结构中，绝缘层里同时含有可动钠离子和固定表面电荷，在已知该MIS结构各组成物质的参数的前提下（绝缘层厚度、功函数、介电常数等），分析如何通过B-T实验来确定绝缘层中的可动离子电荷面密度Qm及固定表面电荷面密度Qfc？ 注意结合C-V曲线和B-T实验的计算问题。 与B-T实验相关的例题解析： 二、用N型硅单晶作为衬底制成的MOS二极管，金属铝面积为 。在150℃下进行负B-T和正B-T处理，测得其C-V特性曲线分别如图⑴和⑵。 已知： 求：⒈二氧化硅层的厚度d0； ⒉二氧化硅层中的固定 表面电荷面密度Qfc; ⒊二氧化硅层中的可动离子 电荷面密度Qm。 本章主要内容回顾 一、MIS结构在外加偏压情况下，半导体表面出现的三种不同状态的能带图； 二、多子堆积、多子耗尽和少子反型三种状态下半导体表面的QS、ES和CS的形式；强反型条件及开启电压的相关计算； 三、理想MIS结构的电容C公式及理想C-V曲线；功函数差和绝缘层电荷对MIS结构的C-V曲线的影响； 四、如何利用B-T实验的结果分析硅-二氧化硅系统中电荷的影响； 五、MIS结构的表面电场对pn结的影响。 固定表面电荷（带正电）位于Si-SiO2界面处，相当于绝缘层中有离金属的距离为d0的一层带正电的面电荷一样，因此也会带来平带电压的影响，如下图所示。 由8.3.4节的内容可知，固定表面电荷Qfc引起的平带电压为： 单位面积的固定正电荷数目 固定表面电荷对MIS结构的C-V曲线的影响： 8.3.3 在Si-SiO2界面处的快界面态 Si-SiO2系统中位于两者界面处的界面态就是来自于悬挂键，即所谓塔姆能级。 硅表面的晶格缺陷和损伤，将增加悬挂键的密度，同样引入界面态。 在硅表面处存在杂质等也可以引入界面态，这些界面态位于Si-SiO2界面处，所以可以迅速地和Si半导体内导带或价带交换电荷，故此称为“快态”。 界面态能级被电子占据时呈现电中性，而施放了电子之后呈现正电性，称为施主型界面态 若能级空着时为电中性而被电子占据时带上负电荷，即称为受主型界面态 界面态能级被电子或空穴所占据的概率，与半导体内部的杂质能级被电子占据的概率分布相同 一般分布：认为界面态能级连续地分布在禁带中，其中有两个高密度峰：一个靠近导带底为受主界面态；另一个靠近价带顶为施主界面态 减少界面态的方法 合理地选择面原子密度小的晶面，如（100）晶面上生长SiO2，会减小未饱和的悬挂键的密度，从而使界面态密度下降 通过选择在适当的条件和气氛下对Si-SiO2系统进行退火，来降低表面态的密度 8.3.4 SiO2中的陷阱电荷 Si－SiO2系统在器件工艺，测试或应用中常常会受高能粒子，这些电磁辐射通过氧化层时，可以在氧化层中产生电子－空穴对。在偏压作用下，电子－空穴对中的电子容易运动至外加偏置电路形成电流，而空穴即被SiO2层中的陷阱陷落而运动不到电极中去，那么氧化层就带上了正电荷，这就是陷阱电荷。 Si－SiO2系统C-V特性向负偏压方向平移而出现平带电压 陷阱电荷在惰性气体中，在300度以上进行低温退火，可以很快消除 §8.4 表面电场对pn结特性的影响 如果一个结构中含有pn结，而在其附近又含有MIS结构，那么MIS结构处于不同状态时，也会对pn结产生影响，即半导体表面电场效应对pn结的影响。在这里，我们讨论的主要是以下两种影响： ⒈表面电场对pn结能带的影响； ⒉表面电场对pn结反向电流的影响。 研究的模型如图所示，各结构 处于理想情况。 8.4.1 表面电场对pn结能带的影响 如果pn结不加外加偏压，只在栅极上加电压VG0，此时pn结处于平衡状态，比较能带图。 没有表面电场时 MIS处于反型时 当VGVT（开启电压）时，MIS结构处于反型状态，在栅极下形成新的pn结（实际是MIS结构处于反型状态时的耗尽层部分），我们称为场感应结，而原来的pn结可称为冶金结。在MIS结构部分，能带从p区内部到表面向下弯曲。 根据前面可知，当表面开始强反型后，场感应结的耗尽层宽度达到最大值xdm，不再随VG的增大而继续增大，此时，感应结部分能带弯曲的高度可近似的表示为： 8.4.1 表面电场对pn结能带的影响 如果pn结加反向偏压VR，此时pn结处于非平衡状态，当MIS结构上加正偏压VG时，能带图又变化了。 没有表面电场时 MIS处于反型时 xdm 8.4.1 表面电场对pn结能带的影响 当pn结