半导体物理第3章讲义.ppt

在实际半导体中总含有少量杂质. 在较低温度下，由杂质提供的载流子往往远超过本征激发，例如在Si和GaAs中，只要含有数量级为1014/cm3的浅能级杂质，室温下的载流子浓度将远超过本征载流子浓度． 但在较高温度下本征激发将占优势． * 我们把本征激发占优势(载流子浓度能由(3-3-4)给出)的温度范围称为本征区． 本征载流子浓度的意义还在于：对于任何非简并半导体一般有： 而不依赖于半导体中是否含有杂质． 因此，若已知ni和一种载流子浓度，则可根据上式求出另一种载流子浓度． np=ni2 (3-3-6) * (3-3-4) (3-2-21) * 我们还可以把式（3-2-16）和（3-2-18)的n和p表示为： (3-3-7) * ?为由导带底开始计算的电子能量，它代表导带电子的动能。 我们容易求出动能小于?的状态数N(?)，它等于能量小于?的k空间的体积乘以2/(2?)3。 能量小于?的k空间体积就是能量为?的等能面所包围的球的体积，由式(3-2-5)可知它的半径为   * 于是可得到N(?)为 * 对上式取微分并与式 比较可得  上面的结果说明g(?)与?之间有抛物性关系，如图3．3所示． 这里特别要指出的是态密度依赖于有效质量．有效质量大的带，态密度也大． * dN=g(?)d ? (3-2-7) 解法二： * 对于二维情况： * 对于一维情况： 乘2是因为有两个等能点 * 一维情况解法二： * 如果把m理解为空穴有效质量，?理解为Ev?E，则式(3-2-7)同样也适用于具有简单能带结构的价带顶． * 对于由式(2-2-20)描述的具有各向异性有效质量的能带；可按照类似于上面所用的方法，求出椭球的半长轴a、b、c，并进而求出椭球的体积(4? / 3)abc，可得到： （2-2-20） (3-2-7) m1，m2，m3为沿等能面椭球主轴方向的三个有效质量． 如果导带具有s个能谷，并具有旋转椭球等能面，则相应的态密度可修改为  * 式中ml和mt分别为纵向和横向有效质量． md称为状态密度有效质量，它和ml、mt和s的关系为： md=(s2mlmt2)1/3 (3-2-10) 对于简单能带，显然有md=m.  * §3. 2. 2．载流子浓度 求得了态密度、我们就可以根据式 计算电子浓度n．代入式 *  于是n可写为   式中 ?n=EF ? Ec, ? =E ? Ec (3-2-11) (3-2-12) (3-2-13) 就可以得到n．我们先把f中的E和EF, 改作按带边能量Ec作基准计算: *  式中mn表示导带电子有效质量．上式中把积分上限取作了?．实际能带宽度当然都是有限的，但是f(?)随? 衰减十分迅速，积分上限取作?不会显著影响结果． 常见的情况是EF位于EC以下若干kT．对于这种情况，我们可用玻尔兹曼分布代替费米分布，则有 (3-2-14) *  以?代替?／kT，则式 可写作 (3-2-15) * 于是得到导带平衡电子浓度为    (3-2-16) 上式中定积分的值为 . 考虑到 ?n=EF?Ec (3-2-15) * 式(3-2-16)说明，所有导带能级的作用可以等效于能量集中在导带边EC处，具有等效态密度NC (单位体积的能态数) 的能级的作用。 (3-2-16) *    (3-2-17) 等效态密度并不是一个常数，而是温度的函数。 温度愈高，Nc越大。 * 电子浓度n取决于费米能级EF距离Ec的远近。 EF离Ec愈远，电子浓度愈小。 * 上式适用于EC?EF kT的情况，称为非简并情形． 导带电子按能量的分布如图3.4中阴影部分所示．f(?)g(?)反映电子实际分布的情况。 * 式中mp为空穴有效质量，Nv为价带等效态密度 用完全类似的方法可以求得价带空穴浓度p为 式(3-2-18)成立的条件是EF?EvkT。EF离开价带愈远空穴浓度愈小． (3-2-18) (3-2-19) * (3-2-16) (3-2-18): * * 根据费米能级的位置可以判断是n型，还是p型半导体以及载流子浓度的相对大小。 式中?g 为禁带宽度, ?g =Ec?Ev (3-2-21) 还可以得到 * 非简并情况下，不管费米能级的具体位置如何，对于任一给定的半导体材料，在给定温度下的电子、空穴浓度的乘积总是恒定的。 * 至此，我们完全没有涉及究竟在一个具体半导体中EF如何确定． 只有具体知道了EF的位置及其随温度变化，我们才最后了解载流子浓度如