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半导体物理 Semiconductor Physics 为能观察到明显的共振吸收峰，要求样品纯度较高，而且实验一般需在低温下进行 交变磁场的频率在微波甚至在红外光的范围 实验中经常固定交变磁场的频率，改变磁感应强度以观测吸收现象。 磁感应强度约为零点几T 2.3 Si、Ge和GaAs的能带结构 一、 Si、Ge和GaAs的导带结构 回旋共振实验表明： Si的导带底附近等能面是由长轴沿100方向的6个旋转椭球等能面构成，旋转椭球的中心位于100方向上简约布里渊区中心至边界的0.85倍处。 Ge的导带底附近的等能面由长轴沿111方向的8个旋转椭球等能面构成，导带极小值对应的波矢位于111方向简约布里渊区的边界上，这样在简约布里渊区内有4个完整的椭球。 图2.10 Si和Ge的简约布里渊区和k空间导带底附近等能面示意图 GaAs的导带极小值位于k＝0处，导带极小值附近具有球形等 能面，mn* ＝0.068m0。在111方向上还存在导带的另一个 次极小值，其能量比布里渊区中心的极小值约高0.29eV。 二、 Si、Ge和GaAs的价带结构 Si和Ge价带顶位于布里渊区中心k＝0处，并且价带是简并的。由于能带简并，Si和Ge分别具有有效质量不同的两种空穴，有效质量较大的(mp)h称为重空穴，有效质量较小的(mp)l称为轻空穴。另外由于自旋-轨道耦合作用，还给出了第三种空穴有效质量(mp)3，这个能带偏离了价带顶，空穴不常出现。对Si和Ge性质起作用的主要是重空穴和轻空穴。 GaAs价带由一个极大值稍许偏离布里渊区中心的重空穴带V1、一个极大值位于布里渊区中心的轻空穴带V2和一个自旋—轨道耦合分裂出来的第三个能带构成。第三个能带的极大值与重空穴带和轻空穴带的极大值相差0.34eV。 图2.11 Si、Ge和GaAs的能带结构 讨论题1 一维晶格能量E与波矢k的关系如图所示。分别讨论下列问题： 1）假设电子能谱和自由电子一样，写出与简约 波 矢k=1/4a对应的A（第I能带），B (第II能带)和 C (第III能带)三点处的能量E。 2) 图中哪个能带上的电子有效质量最小？ 3）第II能带上空穴的有效质量?mp*?比第III能带上 的电子有效质量?mn*?大还是小？ 4) 当k为何值时，能带I和能带II之间，能带II和能 带III之间发生跃迁需要的能量最小？ 练习 1、什么是共有化运动？ 2、电子所处能级越低越稳定。 （ ） 4、无论是自由电子还是晶体材料中的电子，他们在某处出现的几率是恒定不变的。 （ ） 5、分别叙述半导体与金属和绝缘体在导电过程中的差别。 本章总结 一 重要术语解释： 1．金刚石结构 2. 闪锌矿型结构 3. 导带 4．价带 5．禁带 6．空穴 7．有效质量 8．K空间能带图 二 知识点 学完本章后，应具备如下的能力： 1．对单晶中的允带和禁带的概念进行定性的讨论， 2. 讨论硅中能带的分裂。 3. 根据E-k关系曲线论述有效质量的定义。并讨论它对于晶体中粒子运动的意义 4. 讨论空穴的概念。 5. 定性的讨论金属、绝缘体和半导体在能带方面的差异。 本章总结 * * * 半导体物理 Semiconductor Physics 本征半导体的导电机构 空穴 当价带顶部附近一些电子被激发到导带后，价带中就留下了一些空状态，相当于共价键上缺少一个电子而出现一个空穴，而在晶格间隙出现一个导电电子。 半导体物理 Semiconductor Physics 半导体物理 Semiconductor Physics 引进空穴有效质量mp*，且令mp* = - mn*，则空穴运动加速度为 半导体物理 Semiconductor Physics 当价带中缺少一些电子而空出一些k状态后，可以认为这些k状态为空穴所占据。空穴可以看成是一个具有正电荷q和正有效质量mp*的粒子。在k状态的空穴速度就等于该状态的电子速度υ(k)。引进空穴概念后，就可以把价带中大量电子对电流的贡献用少量的空穴表达出来，实践证明，这样做不进是方便的，而且具有实际意义。 半导体物理 Semiconductor Physics 等能面 对于极值在k=0处的一维能带，在导带底附近 价带顶附近 两式中E(0)分别为导带底能量和价带顶能量。 对于三维晶体，以kx,ky,kz为坐标轴构成k空间，k空间任一矢量代表波矢k， 设导带底位于k=0，其能量值为E(0),导带底附近 当E(k)为某一定值时，对应于许多组不同的（kx，ky，kz），将其连接起来构成一个封闭面，在这个面上的能量值相等