半导体器件物理与工艺第4章pn结讲义.ppt

图4.23所示的是考虑与时间有关的少数载流子扩散问题而得到的更精确的关闭时间。 对于快速开关器件，必须降低少数载流子的寿命，因此，那些能级靠近禁带中央的复合-产生中心(如金掺杂入硅中)经常被引入。 图4.23 规一化的暂态时间对正向电流和反向电流比值的关系 当一足够大的反向电压加在p-n结时，结会击穿而导通一非常大的电流．这种击穿过程未必一定是破坏性的。两种重要的击穿机制为隧道效应击穿和雪崩倍增击穿，另一种是热电击穿．对大部分的二极管而言，雪崩击穿限制了反向偏压的上限，也限制了双极型晶体管的集电极电压和MOSFET的漏极电压。 4.7 结击穿 隧道击穿又叫齐纳击穿，当一反向强电场加在p-n结时，，势垒区较薄，反压足够高，使得能带倾斜，n区导带低于P区价带顶，使得价带中电子可以越过禁带隧穿到N区导带形成隧道电流，当电压增加使得隧穿几率达到一定值时，反向电流急剧增加，发生隧道击穿现象，如图所示．这种电子穿过禁带的过程称为隧穿． 隧穿发生条件：高掺杂、强电场、 窄耗尽区的情况． 对硅和砷化镓，电场为106V/cm或更高． p区和n区的掺杂浓度必须高于(＞5×1017cm-3)． 4.7.1 隧道效应击穿(tunneling effect，break)： 如图所示．在高反向偏压下，在耗尽区因热产生的电子(标示1)，由电场得到动能．若电场足够大，电子可以获得足够大的动能，和晶格原子撞击时，可以产生电子-空穴对(2和2’)． 这些新产生的电子和空穴，可由电场获得动能，并产生额外的电子-空穴对(譬如3和3’)．这些过程雪崩式的继续下去，连续产生新的电子-空穴对，使反向电流迅速增大而出现击穿现象．这种过程称为雪崩倍增击穿． 4.7.2 雪崩倍增击穿(avalanche multiplication) 假设电流In0由一宽度为W的耗尽区左侧注入，如下图，电场足够高到可以发生雪崩倍增开始，通过耗尽区时电子电流In随距离增加，并在W处达到MnIn0.其中Mn为倍增因子，定义为： 总电流I=Ip+ In,若?为电子或空穴的电离率（即在单位长度内通过碰撞产生电子空穴对的数量），假设： ?=?n= ?p 雪崩击穿电压定义为： 当M接近无限大的电压， 可导出击穿条件是： 发生雪崩击穿的条件：强电场、大势垒宽度。 全部电离 由击穿条件及和电场有关的电离率，可以计算雪崩倍增发生时的临界电场．使用测量得的?n和?p，可求得硅和砷化镓单边突变结的临界电场Ec，其与衬底掺杂浓度的函数关系如图所示．显然，隧穿只发生在高掺杂浓度的半导体中. E 隧道穿透几率P： 隧道长度： 当击穿电压： VB4Eg/q，隧道击穿 VB6Eg/q，雪崩击穿 6Eg/q VB4Eg/q，隧道和雪崩共同作用， 对于硅和砷化镓结， 临界电场决定之后，可由耗尽区的泊松方程式求解击穿电压： 对单边突变结 其中NB是轻掺杂侧的浓度，?s是半导体介电常数，?为浓度梯度．因为临界电场对于NB或?为一缓慢变化的函数，以一阶近似来说，突变结的击穿电压随着NB-1变化，而线性缓变结的击穿电压则随着?-1/2变化． 对于一给定NB或?，GaAs比Si有较高的击穿电压，主要是因为其有较大的禁带宽度．禁带宽度越大，临界电场就越大，才能在碰撞间获得足够的动能．临界电场越大，击穿电压就越大． 对于线性缓变结 结击穿电压计算： 例8：计算硅单边p+-n突变结的击穿电压．其ND＝5×1016cm-3． 解: 由下图可得到硅单边p+-n突变结的临界电场大约为5.7×105 V/cm. 然后由式 得到 结击穿 4.8异质结 1、异质结有四种分类方式： 1）、按两种半导体材料的导电类型分：反型结和同型结。导电类型相反的两种半导体材料构成反型结；相同的则构成同型结，如p型Cu2S和n型CdS；p-Si和p-GaP。 2）、按材料区别分类：两种半导体材料之间组成的结； 半导体与非半导体异质结，金属肖特基势垒。 3）、按内表面变化区分：突变和缓变结（有混合区）。 4）、按晶格尺寸匹配分：匹配异质结和非匹配异质结。 5）、准同质结 当用两种不同的半导体材料组成p-n结时，其过渡区就叫异质结。 如果两种半导体材料可以相互融合而又是逐渐过渡时，所得到的结与同质结相比其差别是很小的。这种过渡区称“准同质结”。 异质结形成时，晶格匹配越好，界面态密度越低 三元合金的禁带宽度和晶格常数 用三元或四元化合物半导体来制作出晶格匹配 非常完美的异质结。 晶格失配 定义 a1和a2分别是两种材料的晶格 常数（a2a1），a为平均值 2、异质结的形成条件满足禁带宽度的要求