半导体物理第四章(2015.11.4)讲义.pptVIP

4.5 强电场下的效应 一、欧姆定律的偏移 * 原因： 无外场时，载流子能量与晶格相同，两者处于热平衡态 电场存在，载流子在电场中获得能量，并以声子的形式传递给晶格。此时，载流子发射的声子数多于吸收的声子数，稳态情况下单位时间载流子从电场中获得的能量与给予晶格的能量相同。 在强电场的情况下，载流子从电场中获得的能量多，平均能量比热平衡时大，因而载流子与晶格不再处于热平衡态。 * * 二、速度饱和 在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移速度v与外加电场强度E呈线性关系；随着外加电场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均漂移速度达到一饱和值，不随E变化。 n-Ge: * 三、耿氏效应 耿氏效应 n-GaAs外加电场强度超过 时，半导体内的电流以 的频率发生振荡 * * * * * * * * * * 4.1 载流子的漂移运动和迁移率 4.2 载流子的散射 4.3 迁移率和杂志浓度和温度的关系 4.4 电阻率及其与杂质浓度温度的关系 4.5 强电场下的效应 第四章 半导体的导电性 * 本章重点 载流子在外场作用下的漂移运动 载流子散射 迁移率、电导（阻）率随温度和杂质浓度的变化关系 * 4.1 载流子的漂移运动和迁移率 一、欧姆定律的微分形式 二、漂移速度和迁移率 三、半导体中的电导率 * 一、欧姆定律的微分形式 * 二、漂移速度、迁移率 * 三、半导体中的电导率 * 4.2 载流子的散射 一、载流子散射的概念 二、半导体的主要散射机构 * 热运动 永不停息的、无规则杂乱无章的运动。 平均自由程 连续两次散射间自由运动的平均路程。 平均自由时间 连续两次散射间的平均时间。 漂移速度无法不断累积的原因：散射。 一、载流子散射的概念 * 二、半导体的主要散射机构 * 1、电离杂质散射 * 2、晶格振动的散射 （n为原胞所含的原子数） * 2、晶格振动的散射 * 2、晶格振动的散射 压缩区禁带宽度变大，拉伸区禁带宽度变窄 * 2、晶格振动的散射 * 2、晶格振动的散射 * 3、其它散射机构 4. 合金散射 存在于混合晶体中的散射 极值能量相同的旋转椭球等能面中载流子的分布是相同的，称为等同的能谷 * 结论： 在高纯和低杂质浓度（1013~1017/cm3）半导体中，晶格散射占主导地位，迁移率随温度的升高而降低； 在高杂质浓度半导体中，低温时以杂质散射为主，高温时以晶格散射为主； 对于补偿半导体，杂质散射应为全部杂质散射之和。 * 练习 1、载流子的热运动在半导体内会构成电流。（ ） 2、载流子在外电场的作用下是（ ）和（ ）两种运动的叠加，因此，在恒定电场的作用下，电流密度大小（ ）。 * 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 一、平均自由时间和散射概率的关系 二、电导率、迁移率与平均自由时间的关系 三、迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 一、平均自由时间和散射概率的关系 * 二、电导率、迁移率与平均自由时间的关系 * 三、迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 三、迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 三、迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 4.4 电阻率与杂质浓度、温度关系 一、电阻率和杂质浓度的关系 二、电阻率随温度的变化 * 一、电阻率和杂质浓度的关系 本征半导体电阻率随温度增加而单调下降 * 杂质半导体 * 二、电阻率随温度的变化 * 2. 杂质半导体 * 杂质离化区 过渡区 高温本征激发区 * * * *