半导体物理学第七章讲义.pptVIP

半导体物理学 半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中载流子的统计分布 半导体的导电性 非平衡载流子 pn结 金属和半导体的接触 半导体表面与MIS结构 chap7 金属与半导体接触 Metal-semiconductor Contact 制造半导体器件或研究半导体材料的性质；总要涉 及到金－半接触如： 1．器件内引线（集成电路各元件的互连线） 2．外引线 3．汞探针c-v测载流子浓度；四探针（钨丝）测电 阻率 金属－半导体接触类型： 1.半导体为轻掺杂（一般 ），金－ 半接触表现为单向导电（具有整流作用），这 种接触称为肖特基接触（schottky-contact） （整流接触） 应用：微波开关二极管；太阳能电池；整流器 （面积大,功率大，作开关型稳压源）； chap7 金属与半导体接触 Metal-semiconductor Contact ；箝位二极管（用于集成电路“IC”，限制深饱和）（肖特基势垒二极管） 2．半导体为重掺杂（ ），金－半接 触表现为（正反向偏压）低阻特性。称欧姆接触 （非整流接触）V-I特性对称。 应用：器件引线（外引线及集成电路中的内线） 两种接触的伏安特性： § 7.1金属半导体接触及其能级图 金属/半导体接触和肖特基势垒 M/S接触（Contact）为金属（M）与半导体（S）接触形成的基本结构，通常形成肖特基势垒(Shottky Barrier)，其中肖特基势垒是M/S肖特基接触的主要特征。在特定的条件下M/S接触可形成欧姆（Ohmic）型接触。 影响肖特基势垒的因素有：金属和半导体的功函数、金属感应的镜像电荷产生的镜像势、界面的陷阱态能级及其密度等 欧姆接触，可为半导体器件之间的连接提供的低阻互连 肖特基二极管，可作为整流结（肖特基势垒）器件使用 M/S接触的形成 M/S结构通常是通过在干净的半导体表面淀积金属而形成。利用金属硅化物（Silicide）技术可以优化和减小接触电阻，有助于形成低电阻欧姆接触。 ★ 金属和半导体的功函数 功函数: W= EVAC-EF, ( EVAC --真空中静止电子的能量,亦记作E0 ) 功函数给出了固体中EF处的电子逃逸到真空所需的最小能量. 关于功函数的几点说明: ① 对金属而言, 功函数Wm可看作是固定的. 功函数Wm标志了电子在金属中被束缚的程度. 对半导体而言, 功函数与掺杂有关 ② 功函数与表面有关. ③ 功函数是一个统计物理量 对半导体,电子亲和能χ是固定的,功函数与掺杂有关 表7-1 半导体功函数与杂质浓度的关系 ? n型半导体: WS=χ+(EC-EF) ? p型半导体: WS=χ+[Eg-(EF-EV)] 热平衡情形下M/S接触的能带图 假设金属与半导体功函数差为：Wms，且一般情况下不为0。 当金属和半导体形成接触时，如果二者的功函数不同（费米能级不等），则会发生载流子浓度和电势的再分布，形成肖特基势垒。通常会出现电子从功函数小（费米能级高）的材料流向功函数大的材料，直到两材料体内各点的费米能级相同（即Ef ＝常数）为止。半导体体内载流子的再分布会形成载流子耗尽或积累，并在耗尽区或积累区发生能带弯曲，而在金属体内的载流子浓度和能带基本没有变化。 ★ 金属和半导体接触电势差 ?一种典型情况: 讨论M/n型半导体, WmWs(阻挡层） ①接触电势差--为了补偿两者功函数之差,金属与半导体之间产生电势差: Vms=(Ws –Wm)/e ?当WmWs , Vms0 (金属一边低电势) （反阻挡层） ?通常,可认为接触电势差全部降落于空间电荷区. ②半导体一边的势垒高度: VD =∣Vms∣ ③表面势—半导体表面相对于体内的电势 Vs= Vms ④金属一边的势垒高度(肖特基势垒--SB): eΦSB = eΦns = Wm –χ ? 常常选择ΦSB为描述金属/半导体接触势垒的基本物理量(ΦSB几乎与外加电压无关) M/S接触的电势分布和Poisson方程 ★ 金属/半导体接触的几种情况 对M / n型半导