半导体物理与器件第十二章1讲义.ppt

半导体物理与器件 陈延湖 第十二章 双极晶体管 双极晶体管的工作原理(12.1 ) 基本结构及工作原理 晶体管的电极电流 各区域少子分布(12.2) 低频共基极电流增益（12.3） 非理想效应 (12.4 ) 基区调制效应 等效电路模型(12.5 ) Ebers-Moll 模型 混合π模型 频率上限（12.6 ） 大信号开关特性（12.7） 其他的双极晶体管结构(12.8) 12.1 双极晶体管的工作原理 双极晶体管（bipolar junction transistor） ：由三个掺杂不同的扩散区形成两个背对背pn结。三个区对应晶体管的三个电极：发射极、基极、集电极。因为器件中包括电子和空穴两种极性的载流子运动，故称为双极器件。 根据三个电极掺杂类型不同分为两类：npn型和pnp型。 双极晶体管器件的一般特征： 双极器件基本工作原理：放大模式或正向有源模式（forward active） 正向有源下的能带图及少子分布 晶体管三个电极电流简化表述 在正向有源工作状态，假定基区中少子电子为理想化的线性分布，即不存在载流子复合： 则发射极扩散到BC结界面的少子电子形成集电极电流iC： 发射极电流： BE结正偏，发射极注入到基区的电子流iE1（理想情况下iE1=iC) BE结正偏，基区注入发射区的空穴电流iE2，该电流对iC无贡献，但表达式与iC类似： 基极电流成分： BE结正偏，基区注入发射区的空穴电流既是发射极电流的一部分也是基极电流的一部分，即iE2 在基区，注入的少子电子与基区多子空穴的复合电流iBb。该电流也正比于 晶体管工作模式 放大模式下晶体管各区少子分布 其他工作模式的少子分布： 特征：基本无放大作用 此时集电极相当于发射电子，向基区注入，而后被发射极收集，由于发射极面积小，收集电子的效率低，其电流放大倍数一般较小。 同时集电极掺杂浓度较基区浓度小，造成低的发射系数，晶体管基本无放大倍数。 12.3 低频共基极电流增益 双极器件工作于正向有源区的各电极电流成分的详细分析及输运系数定义： 不同电流成分输运示意图： Npn型双极器件的基本公式： 若要求 与器件材料和尺寸参数相关的电流增益表达式： 12.8 其他结构双极晶体管 若将pn异质结用作npn双极器件的发射结，则其发射极注入效率系数： 导致： 晶体管基区电阻变大。为了减小基区电阻，基区宽度不能作的太薄。 较大基区电阻或较厚的基区尺寸，都将导致无法提高器件的高频特性（ft，fmax）。 双极器件的ft，fmax表达式 则即使基区掺杂较重，器件仍能保持较大的发射极注入效率和较大的增益，基区重掺杂导致： 晶体管基区电阻变小。基区宽度可以做的很薄（nm量级）。 在不降低器件增益的同时，器件具有优异的高频特性（ft，fmax高）。 HBT器件的特征： 发射极为宽禁带 基极为窄禁带 薄基区 基区重掺杂 AlGaAs/GaAs 异质结晶体管 举例： 使用简化公式对比SI，同质结BJT 与某GaAs HBT的电流放大倍数。某种GaAs HBT的异质结为突变结，价带不连续ΔEv=0.193eV 设两类器件的其他参数相同，如下：NE=2X1017cm-3，NB=3X1019cm-3，DnB=25cm2/S;DpE=2.5cm2/s，XE=2000?，XB=800? 对SI,bjt ΔEv=0eV,在所设器件参数下： 12.4 非理想效应 共发射极组态输出特性曲线： 非理性因素-厄利（雷）电压效应 前面的分析默认中性基区宽度XB恒定，实际上基区宽度是BC结电压的函数，随BC结反偏电压变大，BC结空间电荷区或耗尽区变宽，基区宽度减小，基区少子浓度梯度增加，这种效应称为基区调制效应或厄利（Early）效应 非理性因素-厄雷电压效应 在电流电压输出特性曲线上可以观察到厄利（雷）效应 理想情况下，IC电流与VCE无关，仅与输入的VBE或IB有关。 存在厄雷效应时，IC随VCE增大而增大。 其他非理想因素 大注入效应 击穿电压: 穿通击穿现象，BVCEO，BVCBO 发射极禁带变窄效应 自热效应 。。。。 GP曲线：增益、理想因子、电流成分 共发射极增益曲线：fT 自热效应：增益下降，增益坍塌现象 击穿特性：BVCEO BVCBO 双极晶体管的等效电路、频率及开关特性（12.5-7） 晶体管的等效电路： 大信号非线性E-M模型: 该模型的理论基础是将BJT看做两个PN的组合特性。 这个基本的EM模型包括了4个模型参数，分别为： 对大信号模型在直流偏置点上进行线性化处理，可得到小信号线性等效电路模型，当晶体管工作在共发射极组态时，可以得到小信号线性HP模型： 完整的HP模型 晶体管的频率响应： 共基极组态截止频率 共发射极组态截止频率 及特征频率 例题： 根据