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外 文 翻 译 题 目：反应时间对CIS粉体制备影响研究 学 院: 化学与材料工程学院 专　　业: 材料科学与工程 班　　级: 0 9材料 姓 名: 陈伟超 学 号: 09111003105 指导老师: 刘 海 涛 快速热处理法(RTP)制备CuInS2太阳能电池 Kai Siemer, Jo Klaer, Ilka Luck, Ju Krgen Bruns, Reiner Klenk,Dieter BraKunig 摘要 通过快速热工艺(RTP)制备了CuInS2基太阳能电池。我们用Cu与In金属层依次在硫蒸气中快速加热的方法制备了CuInS2吸收层。从X-射线衍射(XRD)、扫描电镜观察到，这种方法制备的吸收层表现出了良好的结晶性。通过缺陷化学、光致发光和导纳谱测量等手段进行了进一步的分析。从这些RTP法得到的吸收层制备的太阳能电池的总的面效率(A=0.5cm2)已经达到11.4％。就我们所知，这是迄今为止最好的CuInS2基太阳能电池。 关键词 CuInS2；太阳能电池；快速热处理工艺 1 介绍 CuInS2是一种很有前途的吸收剂材料的薄膜太阳能电池的发展。最近，我们已经提出了一个顺序与传统的加热过程导致在11.1％的总面积效率的用于玻璃/钼/的CuInS2/ CdS的/ ZnO的细胞结构[1]。对于潜在的商业应用，加工时间短和低的热预算是非常重要的，以满足高吞吐量和低的成本。此外，已报道的硒化物黄铜矿，使用快速热过程提高通过中间温度范围迅速[2]，可避免作为有害相的晶体生长。在这项工作中，我们使用快速热CuInS2吸收剂的制备过程。两种吸收剂和相应的太阳能电池，其特征在于相对于他们的结构和电子性质。 2 实验的 2.1 样品制备 Cu和In沉积之后通过DC磁控溅射浮法镀膜在玻璃基板上成为叠层元素层。所有样本都准备多余的原子铜[Cu]/[In]=1.8。元素层的厚度分别约为e铜= 550nm和d=650nm。CuInS2的形成，是在一个快速热过程中进行的，石英管作为反应室在一个定制的卤素灯照下，样品迅速地通过辐射加热至大约600℃，并在此阶段保温几分钟。加入硫元素处理之前。两个样品中的硫被放置到一个石英的样本保持器中。该炉是被抽成真空的，在加热汞循环中完成。腔室中的压力是由硫的蒸气压造成的。因此，只有硫化程度和加入的硫的量才能确定反应温度和时间是变化的。确定的方法是使用镍铬/镍铝热电偶被插入到一个小的石英管炉的中心。为了进行比较，将温度测量用Pt100热电阻直接连接到样品。它表明，样品的温度大约是80℃，高于用热电偶测得的温度。图1显示出了一个典型的硫化过程中的温度变化。 图 1?RTP过程中的典型的硫化温度。给出的温度是名义上的，样品温度高达80°C。 为了减少加入到反应中的硫的量，通过大量的实验样品和使用硫的陪替氏培养皿，使反应体积被减少。这减少了从约104cm3至约170cm3的反应体积。每个单位体积的硫的量都被保持相对一致。然而大反应体积的部分接触部位有寒冷的气压，这会降低硫的蒸汽压，在此过程中，硫会凝结。相反的在小的反应体积中，蒸汽压可能是固定不变或者是稳定增加的。但是，相对于反应管的其余部分局部体积，这个是不可以被假设的。 对于成品的太阳能电池，由于过量的CuS中的铜偏析有除去氰化物蚀刻的效果。之后一个两层的ZnO窗口会沉积CdS的缓冲。该信元使用时会被Ni-Al系网格接触。最好的效果是进一步改进氟化镁防反射涂层。 2.2 描述 吸收层的结晶度和形态的研究分别由X-射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）。 通过光致发光（PL）的缺陷化学研究。这些吸收剂在10K作为激励源发出的功率密度约为100瓦/cm2的二极管激光器（λ=668纳米）中进行。此外，有关测量导纳频谱是对已完成的细胞进行了深缺陷吸收体以便得到带隙的分布。这些测量是在40和360K的温度范围及1MHz到100Hz之间。这是在100毫瓦/cm2以及量子效率在AM1.5全局照明下太阳能电池的性能测量。 3 结果 3.1 结构表征 图2显示出的CulnS2吸收层后从RTP氰化物蚀刻下采取的45°角的SEM照片。晶粒尺寸约为1-2微米，可以媲美传统的加热过程[3]。虽然该层是非常粗糙的横截面显示出了封闭的上方背接触层。因此，销孔中吸收层的存在，不可以从这些观察中被排除。钼后接触吸