光电子器件基础与技术lecture403.pptVIP

由于自发辐射光的方向是杂乱的，因此LED的发散角较大，垂直PN结的方向 ，平行PN结的方向 发光二极管的响应速度受制于载流子的自发复合寿命，因此减少少数载流子的寿命是提高响应速度的有效途径。一般采取高掺杂和高注入电流密度。 * 半导体激光器 (Laser Diode, LD) 和其他激光器相比，LD具有体积小，重量轻，驱动功率低，输出效率高，调制方便（直接调制），寿命长和易于集成等一系列优点而得到了广泛的应用。 法布里-珀罗(F-P)型LD 分布反馈(DFB) LD 分布 Bragg 反射器(DBR)LD 量子阱(QW) LD 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 分类一 分类二 同质结 单异质结 双异质结 * 同质结LD能带结构 与其他激光器一样，要产生激光必须有增益介质、谐振腔和泵浦源，在一定条件下就可以产生激光。同质结LD对半导体材料的要求是重掺杂而且必须是“直接带隙”的半导体材料 * 当电流加大到一定值，准费米能级 和 的能量间隔大于禁带宽度 时（伯拉德-杜拉福格条件）时，PN 结中出现一个增益区（有源区），在这个区域内，价带主要由空穴占据，而导带则主要由电子占据，即实现了粒子数反转。 同质结