重庆大学模电唐治德版第6章半导体二极管及其应用电路.pptVIP

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  • 2016-12-08 发布于广东
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重庆大学模电唐治德版第6章半导体二极管及其应用电路.ppt

例 直流输入电压VI 系由汽车 上铅酸电池供电, 电压在 12 ~ 13.6V之间波动。负载为一移动式 9V半导体收音机,当它的音量最大时,需供给的功率为 0. 5 W。稳压管的主要参数: Vz = 9V, Iz = 10mA 至 IZ(max) =100mA,耗散功率为 1W。限流电阻R的值为 47? 。试分析此稳压电路能否正常工作。 作业:6.2?? 6.4?? 6.6?? 6.8?? 6.9? 6.15 6.4.3 分段线性模型法 二极管的分段线性模型有理想模型、恒压降模型和折线模型。 理想模型 (d)反向偏置模型 (a)伏安特性逼近 (b)代表符号 (c)正向偏置模型   当实际二极管所在回路的电压远大于正向导通电压(通常是两者之比大于10)时,可采用理想二极管模型。 2.恒压降模型   恒压降模型:伏安特性等效为一个理想二极管与一个直流电压源Von的串联。 小功率硅管的Von≈0.6~0.8V,通常取固定值0.7V; 小功率锗管的Von≈0.2~0.3V,通常取固定值0.2V。 当实际二极管所在回路的总电阻(不含二极管)远大于二极管的导通电阻(通常是两者之比大于10)时,可采用恒压降模型。 3.折线模型 折线模型:伏安特性等效为一个理想二极管、一个直流电压源Vth和一个电阻串联rD。 硅管的Vth约为0.5V,锗管的Vth约为0.1V; rD称为导通电阻,设二极管导

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