半导体pn结,异质结和异质结构03.pptVIP

半导体光电探测器的若干结构类型 半导体，本征半导体，非本征半导体半导体: 最外层价电子填满了价带，导带没有电子，有一定带隙宽度。在一定条件下使价带中的电子获得能量跃迁到导带中，在价带中形成空穴，在导带中出现电子时，半导体导电。本征半导体:不掺杂的半导体。此时的费米能级在带隙的中间。价带中的电子靠热激发或光激发直接跃迁到导带，使空穴和电子的浓度相等。随着温度的升高本征半导体的导电性能变大。非本征半导体:是掺杂的半导体。由于在价带和导带分别加入的空穴和自由的电子，使半导体的导电性能发生改变。如：五价的杂质原子（P,As）掺入四价Si后必有一个电子成为自由电子运动在导带中，形成电子导电类型的n型半导体。由于有较高能量的自由电子的进入导致原来在带隙中的费米能级逐渐向上移。如果在半导体中加入 三价的杂质原子（B），与硅的结合将有一个键悬空，形成空穴，此空穴可以在价带中自由移动，形成了空穴导电类型的p型半导体，由于有空穴的进入导致原来在带隙中的费米能级逐渐向下移。 本征半导体载流子浓度ni, p i 本征半导体: ni = pi = n =p = 4.9 E15 (me mh/mo）^3/4 T^3/2 exp(-Eg/2KT)= A T^3/2 e^(-Eg/2KT) 是温度T,禁带宽度Eg的函数,温度越高, ni越大, Eg越宽, ni越小 T为3OOK时, Si: