国外集成电命名方法.docVIP

国外集成电路命名方法 器件型号举例说明?( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)AM 29L509 P C B AMD首标 器件编号 封装形式 温度范围 分类 ? L：低功耗； D：铜焊双列直插 C：商用温度， 没有标志的 ? S：肖特基； （多层陶瓷）； （0-70）或 为标准加工 ? LS：低功耗肖特基； L：无引线芯片载体： （0-75）； 产品，标有 ? 21：MOS存储器； P：塑料双列直插； M：军用温度， B的为已 ? 25：中规范（MSI）； E：扁平封装（陶瓷扁平）； （-55-125）； 老化产品。 ? 26：计算机接口； X：管芯； H：商用，27：双极存储器或EPROM ； A：塑料球栅阵列； （0-110）；28：MOS存储器理； B：塑料芯片载体 I：工业用，29：双极微处理器； C、D：密封双列； （-40～85 ）；54/74：同25； E：薄的小引线封装； N：工业用，60、61、66：模拟，双极； G：陶瓷针栅陈列； （-25～85）；79：电信； Z、Y、U、K、H：塑料 K：特殊军用，80：MOS微处理器； 四面引线扁平； （-30～125）；81、82：MOS和双极处围电路； J：塑料芯片载体（PLCC）； L：限制军用，90：MOS； L：陶瓷芯片载体（LCC）； （-55-85）＜91：MOS RAM： V、M：薄的四面 125。92：MOS； 引线扁平；93：双极逻辑存储器 P、R：塑料双列；94：MOS； S：塑料小引线封装；95：MOS外围电路； W：晶片；1004：ECL存储器； 也用别的厂家的符号：104：ECL存储器； P：塑料双列；PAL：可编程逻辑陈列； NS、N：塑料双列；98：EEPROM； JS、J：密封双列；99：CMOS存储器。 W：扁平；R：陶瓷芯片载体；A：陶瓷针栅陈列；NG：塑料四面引线扁平；Q、QS： 器件型号举例说明( 缩写字符：ANA 译名：模拟器件公司（美）) AD 644 A S H /883B ANA首标 器件 附加说明 温度范围 封装形式 筛选水平 AD：模拟器件 编号 A：第二代产品； I、J、K、L、M： D：陶瓷或金属气 MIL-STD- HA：混合DI：介质隔离产 （0-70）； 密双列封装 883B级。 A/D；品； A、B、C： （多层陶瓷）；HD：混合Z：工作在+12V （-25-85）； E：芯片载体；D/A。的产品。（E：ECL） S、T、U： F：陶瓷扁平；（-55-125）。 G：PGA封装（针栅阵列）；H：金属圆壳气密封装；M：金属壳双列密封计算机部件；N：塑料双列直插；Q：陶瓷浸渍双列（黑陶瓷）；CHIPS：单片的芯片。同时采用其它厂家编号出厂产品。 通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）) ADC 803 X X X X 首标 器件编号 通用资料 温度范围 封装 筛选水平A：:改进参数性能； J、K、L： M：铜焊的金属壳封装； Q：高可L：自销型； （0-70）； L：陶瓷芯片载体； 靠产品；Z：+ 12V电源工作； A、B、C： N：塑料芯片载体； /QM：HT：宽温度范围。 （-25-85）； P：塑封（双列）； MILR、S、T、V： H：铜焊的陶瓷封装 STD（-55-125）。 （双列）； 883产品。G：普通陶瓷（双列）；U：小引线封装。模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）) - -- X X X首标 器件编号 温度范围 封装 筛选水平H、J、K、L： M：铜焊金属壳封装； Q：高可靠产品；（0-70）； P：塑封； /QM：MIL-STD-A、B、C：（-25-85）； G：陶瓷。 883产品。R、S、T、V：（-55-125）。军用器件产品型号举例说明（放大器/多路转换器/ADC/VFC） OPA 105 X M /XXX首标 器件编号 温度范围 封装 高可靠性等级V：（-55-125）； M：金属的； MIL-STD-883B。U：（-25-85）； L：芯片载体。W：（-55-125）。DAC的型号举例说明 DAC 87 X XXX X /XXX 首标 器件编号 温度范围 输入代码 输出 MIL-STD-883B表示V:(-55-125)； CBI：互补二进制 V：电压输出；U：（-25-85）。 输入； I：电流输出。COB：互补余码补偿二进制输入；CSB：互补直接二进制输入；CTC：互补的两余码输入。首标的意义： 放大器转换器 ADC：A/D转换器； OPA：运算放大器； ADS：有采样/保持的A/D转换器； INA：仪