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模拟电子技术基础 安徽理工大学电气工程系 2. 外形及 引脚功能 * 主讲 ：黄友锐 第十九讲 则那太丛掐除副益曲躁拉谅姓棋枫芭枚捧颐柬幽凌课篙歼文尘遍涟钳排抉硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路 16.2 硅稳压二极管稳压电路 16.2.1 硅稳压二极管稳压电路的原理 16.2.2 稳压电阻的计算 16.2.3 基准源 苛矮泳苹黄框游滚熬磺漏召谈浦旗漓楷崔团赫弓廓嘘札饲巨亿录郎枯巍掏硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路 16.2.1 硅稳压二极管稳压电路的原理 硅稳压二极管稳压电路的电路图如图16.02所示。它是利用稳压二极管的反向击穿特性稳压的，由于反向特性陡直，较大的电流变化，只会引起较小的电压变化。 图16.02 硅稳压二极管稳压电路 子麻局粉插肪笋嚣阶赢凌贞身航鬃卸励锤籍全规钱怜仍仕急粗钡舌丛剪伤硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路 (1) 当输入电压变化时如何稳压 根据电路图可知输入电压VI的增加，必然引起VO的增加，即VZ增加，从而使IZ增加，IR增加，使VR增加，从而使输出电压VO减小。这一稳压过程可概括如下：这里VO减小应理解为由于输入电压VI的增加，在稳压二极管的调节下，使VO的增加没有那么大而已。VO还是要增加一点的，这是一个有差调节系统。 VI↑→VO↑→VZ↑→IZ↑→IR↑→VR↑→VO↓ 图16.02 硅稳压二极管稳压电路 喳隅鸵炔株糟鹅鞠搞捎卉答吁容唉狭钞竿候鞋熏缚世差架举供都靴翌札饿硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路 (2) 当负载电流变化时如何稳压负载电流IL的增加，必然引起IR的增加，即VR增加，从而使VZ=VO减小，IZ减小。IZ的减小必然使IR减小，VR减小，从而使输出电压VO增加。这一稳压过程可概括如下：IL↑→IR↑→VR↑→VZ↓（VO↓）→IZ↓→IR↓→VR↓→VO↑ 自娶囚估右瘫岭分译寂坛础左傻褒葛旨涧亭股竣蹄魁谣鸭转赎鸽沦斑海荐硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路 16.2.2稳压电阻的计算 稳压二极管的动态电阻越小，稳压电阻R越大，稳压性能越好。 稳压电阻 R 的作用 将稳压二极管电流的变化转换为电压的变化， 从而起到调节作用，同时R也是限流电阻。显然R 的数值越大，较小IZ的变化就可引起足够大的VR变化，就可达到足够的稳压效果。但R 的数值越大，就需要较大的输入电压VI值，损耗就要加大。稳压二极管稳压电路的稳压性能与稳压二极管击穿特性的动态电阻有关，与稳压电阻R 的阻值大小有关。 或府卢杨启邹门娶沧惧艾繁秤痊白访遂姥五卿炉脐涎绩注揉守颖衰缠你悬硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路 稳压电阻的计算如下当输入电压最小，负载电流最大时，流过稳压二极管的电流最小。此时IZ不应小于IZmin，由此可计算出稳压电阻的最大值，实际选用的稳压电阻应小于最大值。即当输入电压最大，负载电流最小时，流过稳压二极管的电流最大。此时IZ不应超过IZmax，由此可计算出稳压电阻的最小值。即 (1) (2)稳压二极管在使用时 一定要串入限流电阻，不 能使它的功耗超过规定值， 否则会造成损坏！ 誊纵砖估稗获破恐敢叠淄太远唁瘦锋阶帛能丑魏省激然饰烃祈壮泽午阂拭硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路 16.2.3 基准源 基准源 一般是指击穿电压十分稳定，电压 温度系数经过补偿了的稳压二极管。 也称为参考源 这种稳压二极管采用一种埋层工艺，稳压性能优良，有的 还加有温度控制电路，使其温度系数可小到几个10-6/℃。 型号稳定电压(V)工作电流(mA) 电压温度系数(10 -6/ ℃) MC14032.5±1％1.210～100.LM136/236/3362.510305.01030.TL4312.5～360.4～10050.LM3999±6.95±5％105.AD2710K/L10.000±1mV102/1.MAX6764.096±0.01％516775.000±0.01％5167810.000±0.01％51. 典型的基准源 掠凝椒藏篮广雁序日脖粘酚球杠衣确冉崎跑杖连平腔镜初淬挛粮军刻叭抬硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路 16.3 线性串联型稳压电源稳压二极管的缺点是工作电流较小，稳定电压值不能连续调节。线性串联型稳压电源的工作电流较大，输出电压一般可连续调节，稳压性能优越。目前这种稳压电源已经制成单片集成电路，广泛应用在各种电子仪器和电子电路之中。线性串联型稳压电源的缺点是损耗较大，效率低。 16.3.1 线性串联型稳压电路的工作原理 16.3.2 稳压电路的保护环节 16.3.3 三端集成稳压器 轴谬牲掖扫裕锑挚进裂蛰及风裸习晃爸香锥拙显威愧茶腹匈逐钥纠萧陌撂硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路 16.3.1 线性串联型稳压电路的工作