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太阳能硅片检测方法瑟米莱伯（中国）公司Semilab China上海浦东新区商城路889号波特营B2幢3楼 （200120）Tel: 021 Fax: 021-mail: semilab@ Web site: 2011年7月内容提要准稳态微波反射光电导（QSS μ-PCD）技术Quasi Static State Microwave PhotoConductivity Decay表面光电压（SPV）技术测量扩散长度Surface PhotoVoltageDiffusion LengthInline PL检测技术Photoluminescence ImagingSEMILAB CHINA准稳态微波反射光电导（QSS μ-PCD）技术SEMILAB CHINA传统的μ-PCD 测量技术探头：产生微波探测反射的微波信号光生载流子在硅片内扩散并复合10 GHz微波1Ωcm的硅片中穿透深度~500μm红外激发光穿透深度 ~ 30μm表面复合光生载流子复合中心Si 厚度225μmP型表面复合传统的μ-PCD 测量技术：不能得到准确的注入水平值不能得到太阳能电池片工作状态下的有效寿命值SEMILAB CHINA传统的μ-PCD 测量技术Semilab引入准稳态微波反射光电导QSS μ-PCD技术SEMILAB CHINAQSS μ-PCD测量技术特点QSS μ-PCD技术测量过程中使用两束光背景光（用于产生稳态）和激发光（用于激发过剩载流子）背景光是连续光，光强可调0-1.5 Sun，未来范围更宽测量过程中一直处于准稳态激发光强远小于背景光的光强，只对稳态造成造成微扰背景光强，即产生速率，是经过标定的，因此可以准确得到注入水平值可以测量真实工作状态下的有效寿命SEMILAB CHINA传统的μ-PCD与QSS μ-PCD之间的比较a) 瞬态方法：μ-PCDμ-PCD技术测量光电导的衰减，是一种相对测量，不需要测量过剩载流子的绝对值?effnnno产生dn/dt = G复合dn/dt = - ?n/?effTime对于QSS μ-PCD测量技术，产生速率是已知的，通过测量寿命值，可以推算出准确的注入水平值（即过剩载流子浓度ΔnSS)dn/dt = 0b) 稳态方法： QSS μ-PCD稳态寿命：?eff = ?nss/G?nss产生+复合no产生速率 =复合速率G - ?nss/?eff = 0SEMILAB CHINAQSS μ-PCD中注入水平可调 QSS μ-PCD可以测量不同稳态产生速率下的有效寿命值 ，而且对应的注入水平是精确确定的（G1, G2, G3, …Gk）------ （?n1, ?n2, ?n3… ?nk）------ （?1, ?2, ?3…?k ）注: 在测量中，为 G的改变预留的时间要远大于少子的有效寿命。?k?3?2Gk; ?nkG3; ?n3?1G2; ?n2G1; ?n1?ntime QSS μ-PCD中激发光强要小于产生稳态的背景光强，因此激发光只会对稳态造成微扰，不会破坏稳态。在此条件下，测量得到的有效寿命值就是稳态下的有效寿命。 SEMILAB CHINA传统的μ-PCD与QSS μ-PCD之间的比较：测试举例传统 μ-PCD技术QSS μ-PCD技术测试条件样品： SiN/a-Si/SiQSS光强： 1 Sun测试结果寿命值：41μs Vs 305μs 均匀性不同利用QSS μ-PCD测试技术可以得到更多的信息SEMILAB CHINAQSS μ-PCD的应用：测试举例有效寿命-QSS光强曲线有效寿命- QSS 注入水平曲线样品高质量FZ硅片，表面生长有氧化层，L0 = 1400μm (用SPV技术测得)，τb = 590μs，Fe含量低用CORONA电荷将硅表面置于反型、耗尽或累积状态注入水平Δn, 是用测量得到的有效寿命 τeff 和产生速率（QSS光强）计算得到的SEMILAB CHINAQSS μ-PCD的应用：测试举例钝化效果好钝化效果不好样品钝化层为a-SiQSS 光强： 1 Sun测试结果表明：钝化均匀性不大好。这与a-Si钝化的普遍特点符合。SEMILAB CHINAQSS μ-PCD的应用：发射极饱和电流J0Injection Level, ?n (cm-3)双面钝化的发射极slope =Injection Level, ?n (cm-3)SEMILAB CHINA表面光电压（SPV）技术测量扩散长度（体寿命）SEMILAB CHINA传统的μ-PCD、QSS μ-PCD和SPV技术比较传统的μ-PCD和QSS μ-PCD的共性不能完全排除表面的贡献，测量结果为有效寿命Semilab引入SPV测量扩散长度可以直接测量体寿命（扩散长度相当于