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高级工 判断
1. 正反馈主要用于振荡电路. 负反馈主要用于放大电路.(√).
4. 射极跟随器存在负反馈(√)
5. 在放大电路中,如果信号从基极输入,反馈引回到同一管子的发射极,则此反馈是串联反馈。(√)
8. 二级共放射大电路的输出端接一电阻到输入端则电路的反馈极为正反馈(√)
9. 把输出电压短路后,如果反馈不存在了,则此反馈是电压反馈(√)
11. 直流放大器主要放大直流信号,但也能放大交流信号(√)
15. 深度负反馈放大器电路闭环放大倍数为F=1/(√)
16. 负反馈放大电路闭环放大倍数为F =1/(1+)(√)
17. 在集成运算放大器中,为减小零点漂移都采用差动放大电路,并利用非线性元件进行温度补偿(√)
20. 运放组成的滞回特性比较器有正反馈(√)
21. 运放在线性应用时,其反相输入端与同相输入端电位必定相等(√)
22. 运放组成的积分器,当输入为恒定直流电压时,输出即从初始值起线性变化(√)
25. 数字电路处理的信息是二进制数码(√)
27. BCD码就是二-+进制编码(√)
29. 如果变量和函数值均只能取0或1的函数称为逻辑函数(√)
30. 数字电路处理的信息是二进制数码。(√ )
31. 电路中触头串联关系可用逻辑与即逻辑乘(·) 的关系表达;电路中触头并联关系可用逻辑或即逻辑加(+) 的关系表达(√)
33. 非门的逻辑功能可概括为“有0出1,有1出0”(√)
36. 卡诺图是真值表的另外一种排列方法(√)
38. TTL与门电路正常工作时能带动同类与非门的最大数目称扇出系数(√)
39. TTL电路的输入端是三极管的发射极(√)
41. TTL电路的灌电流负载能力大于拉电流负载能力.(√)
42. TTL电路的低电平输入电流远大于高电平输入电流(√ )
43. 用TTL电路去驱动CMOS电路时,必须将TTL的输出电平升高(√)
45. 4000系列CMOS电路的电源电压可取3V至18V(√)
46. CMOS电路的输入端不许悬空(√)
47. CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL(√)
50. 三态门的第三种输出状态是高阻状态。( √ )
用一块十六选一的数据选择器可以实现任何一个输入为四变量的组合逻辑函数。(√ )
53. 带有控制端的基本译码器可以组成数据分配器(√ )
54. 数字比较器的有三个输出端(√ )
59. 将T触发器一级一级地串联起来,就可以组成一个异步二进制加法计数器(√)
62. 用N位移位积存器组成的扭环行计数器有2N个有效状态(√)
64. 施密特触发器是一个具有迟滞回环传输特性的比较器(√)
65. 石英晶体多谐振荡器频率稳定性比TTL与非门RC环行多谐振荡的高(√)
69. 单稳态触发器可用作定时控制( √ )
2. 用于工频整流的功率二极管也称整流管(√).
3. 晶闸管的正向阻断峰值电压,即在控制极断开和正向阻断条件下的电压,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压( √ )
7. 晶闸管具有可以控制的单向导电性,而且控制信号很小,阳极电流可以被控制得很大(√)
8. 在规定条件下,不论流过晶闸管的电流波形如何也不管晶闸管的导通角是多大,只要通过的管子的电流有效值不超过该额定值的有效值管子发热就是允许的(√)
9. 造成晶闸管误导的原因有二个,一是干扰信号加于控制极,二是加到晶闸管的电压上升率过大(√ )
11. 晶闸管的关断条件IaIh.( √ )
15 .GTO的结构与普通晶闸管相似,也为PNPN四层半导体三端元件(√ )
18. 三相桥式可控整流电路中,每只晶闸管流过的平均电流值是负载的1/3.( √ )
19. 三相桥式半控整流电路中,一般都用三只二极管和三只晶闸管(√ )
21. 带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中,每时刻都有两只晶闸管导通( √ )
23. 整流电路中电压波形出现缺口是由于变压存在漏抗(√ )
24. 相控整流电路对直流负载来说是一个带内阻的可变直流电源( √ )
25. 尖脉冲、矩形脉冲强触发脉冲等都可以作为晶闸的门极控制信号( √ )
26. 简易触发电路一般不用同步变压器,常用语控制精度要求不高的小功率负载电路( √ )
27. 单结晶体管自激振荡电路可以利用单结晶体管的负阻特性与RC电路充放电阻成( √ )
29. 采用正弦波同步触发电路的可控整流装置可看成一个线性放大器( √ )
33. 把直流电变换为交流电的过程成为逆变(√ )
34. 单相双半波可控整流电路是能实现有源逆变电路(√ )
36. 单相全控桥式整流电路,反电动势负载,已知 B=60度.U2=100V E=50V,则电路处于逆变状态(√ )
37. 单相全控桥式整流电路是能实现有源逆变电
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