本科毕业设计---光敏电阻测光强度.docVIP

毕 业 论 文论文题目： 光敏电阻测光强度设计 学生姓名： 学生学号： 专业班级： 学院名称： 指导老师：毕业论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的是本人在的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出主要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。 签名： 日期：20年月 日 版权使用授权书 本论文作者完全了解学校有关保留、使用的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交的复印件和电子版，允许被查阅和借阅。本人授权湖南大学可以将本的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本。 本论文属于 1、保密，在年解密后适用本授权书。 2、不保密√。 （请在以上相对应方框内打“√”） 签名： 日期：20年月 日 师签名： 日期：20年月 日目 录引言 3 一、设计任务与要求 3 1.1本综合设计实训任务的内容和要求 3 二、系统概述 3 2.1 系统的主要功能 3 2.2光敏电阻测光系统的工作原理 4 2.3 光敏电阻测光系统的工作过程 4 2.4 元器件的选择 5 2.5 光敏电阻功能及简介 5 三、系统总体方案的设计 6 3.1 硬件电路的设计 6 3.2 光强度自动检测电路的设计 7 3.3A/D转换器电路的设计 8 3.4 显示电路的设计 8 四、 软件设计 9 4.1 设计思想 9 4.2 方案实现 10 五、实训心得体会 11 参考文献 13 附录 14绪 论1.文献资料法：通过查阅和收集关于三极管应用及发展相关的文献材料。 2.进行一些理论性的试验：在物理试验室里面对测试三极管的一些特性 3.数理统计法：对获得的材料进行整理。第一章.三极管的种类和结构三极管的结构是由两个结区和三个引脚所组成：发射区基区之间构成的PN结称为发射结,而集电区基区构成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极.按材质分: Si管、Ge管 .按结构分: NPN 、 PNP。 .按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等. . 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管.按工作频率分：低频管、高频管、超频管 .按结构工艺分：合金管、平面管 .按安装方式:插件三极管、贴片三极管图1.1.1晶体三极管 由于在我们现实生活中，NPN三极管所使用的频率大大的超过了PNP三极管，所以，在本文中，我们所探讨的三极管类型主要是按照NPN来研究的。后文所出现的三极管，如果没有特别说明，均认为是NPN型。 1.2三极管的内部结构 1.三极管的结构特点 (1) 基区薄，且掺杂浓度低；(2) 发射区掺杂浓度比基区集电区高得多；(3) 集电结的面积比发射结大。图1.2.1三极管的内部机构以及符号（左边为NPN型，右边卫PNP型）第二章.光敏电阻的制造工艺 2.1扩散型光敏电阻在高温的P型杂质气体中，而加热N型Ge或者Si的单晶片，从而使得单晶片的一面变成P型，应用此种方法制成的PN结。因为PN结正向电压降小，于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由Si合金型转移到Si扩散型。 N型Ge或Si的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而构成的。正向电压降小，适于大电流整流。因为其PN结反向静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。N型Si单晶片）上，扩散P型杂质，利用Si片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型Si单晶片上仅选择性地扩散一部分而构成的PN结。因为此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，所以得名。并且，PN结合的表面，因为被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法构成的，所以又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。0.3V，Si管约为0.7V），集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic和Ib近似于线性关系，在基极加上一个小信号电流，引起集电极大的信号电流输出。IC增大到一定程度的时候，再增大Ib，Ic也不会增大，超出了放大区，进入了饱和区。饱和的时候，Ic最大，集电极和发射之间的内阻最小，电压Uce只有0.1V~0.3V，UceUbe（Si管0.3V，Ge管0.1V），发射结和集电结均处于正向电压。三极管没有放大作用，集电极和发射极相当于短路，常和截止配合于开关电路。饱和的时候开关通路；截止的时候，开关断路见三极管工作原理图3.1.1三极管工作区域的伏安特性曲线 PS：而如何