第三章补充1半导体激光粒子数反转与光场分布.pptVIP

第三章补充 粒子数反转、光场限制原理与光场分布 深圳大学 光电工程学院 目录 1、半导体激光器结构 2、阈值条件和光增益发布 2-1、阈值增益 2-2、增益谱计算 2-3、增益系数与电流密度的关系 2-4、增益饱和 3、半导体激光器的模式 3-1、波动方程 3-2、电学常数与光学常数 3-3、TE模与TM模 3-4、对称三层介质波导 3-5、图解法 3-6、不对称三层介质波导 3-7、模的截至条件 1、 FP-LD基本结构 激光振荡模式 ☆粒子数反转产生增益，输入电流越大，增益越高；粒子数反转不在单能级间，而是能带间，故有增益谱线宽度；同样注入条件下，量子阱材料的增益比体材料高，增益线宽更窄 如何获得单纵模工作？？ 形成激光的三条件 增益物质 粒子数反转(增益超过损耗） 谐振腔（模式选择） 必要条件：粒子数反转 充分条件：超过阈值增益 有源区的受激发射必要条件--伯纳德和杜拉福格条件获得净受激发射的条件是Rst (或r21net(st))大于0，即fc＞fv就能满足上述要求。将fc和fv的表达式代入，得：粒子数反转与光增益 光波通过介质得到放大 增益系数与电流密度的关系 增益系数与电流密度的半经验关系 增益饱和 外加正向偏置接近势垒电压时，即使增加正向电压也不能使得载流子线性增加，发生增益饱和 半导体激光