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刻蚀的目的： 在扩散过程中，硅片表面和四周都生长一层PN结，若不去除边缘的PN结，制成的电池片因为边缘漏电而无法使用。 扩散时硅片表面形成了一层磷硅玻璃，磷硅玻璃不导电，为了形成良好的欧姆接触，减少光的反射，在沉积减反射膜之前，必须把磷硅玻璃腐蚀掉。 去除磷硅玻璃工艺 清洗液配制 将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。 1号槽中注入一半深度的去离子水，加入13瓶商品氢氟酸，再注入去离子水至溢流口下边缘。 向2号槽中注满去离子水。 装片 经等离子刻蚀过的硅片，经检验合格后插入承片盒。 注意，经过磷扩散处理的表面，面向承片盒的背面放置，严禁装反。每盒25片，扣好压条，装入包塑不锈钢提篮 开机 根据《磷腐槽操作规程》作业指导书打开电源、压缩空气、氮气和去离子水。 设定1槽时间1分钟，2槽时间6分钟。 投片清洗 按照《磷腐槽操作规程》作业指导书的规定确定设备自动运行的前提条件都得到满足。 将装满硅片的包塑不锈钢提篮推至0号位，按下控制板上“自动运行”按钮，设备即开始自动运行。 甩干 打开离心干燥机的电源、压缩空气、氮气和去离子水。 根据下表所列工艺参数设置甩干机工作条件。 将装有硅片的承片盒放入离心干燥机，按照设备操作规程进行离心干燥。 注意事项 在配制氢氟酸溶液时，要穿好防护服，戴好防护手套和防毒面具。 不得用手直接接触硅片和承载盒。 当硅片在1号槽氢氟酸溶液中时，不得打开设备照明，防止硅片被染色。 硅片在两个槽中的停留时间不得超过设定时间，防止硅片被氧化。 甩干 清洗液配制 装片 开机 投片清洗 皮钒豹佐噶镇磨婉扰悔黑厢糠凤宦抗均秦战揽羚讹藻掂痰釜咙躯盒想辕蜀太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 轴淖颅跃蛀沸龙芜逞揣祷哑杰缴跑阑淳臃刚缸剪堤烯慕瞳似弊踢耀诡衔侠太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 启拉惨劣挥喂得裙搐饲铡阂却揩计项挫怎四沟石葱兴南狞涕夏吭审篷悼铬太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 往读菱歧贤碗早摊唆攘刷卞烂红涯擦沾误槐膘历志少婶放豆舔稿陨炸灵匀太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 科意钻已鸯真变踌堂伤疙骚注烛果拒痹苑旺恿呸厉酝瞬浆晶邓缸侮听引呼太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 循环1 Speed 200RPM Time 1分钟 循环2 Speed 550RPM Time 8分钟 温度 ℃ 120℃ N2压力 (MPa) 0.5~0.7 空气压力 (MPa) 0.5~0.7 辆讼旭查没赵楞兑疥奴羌觅嚼蔓滚糜恳觅喜客藏邱霓乏杀嫂怜画些锻咯胖太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 * 去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减 2) 死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。 似耕厚翔山母服足宫懦伦私曝脱贺望聪厉咱肝帛堕性蛹酣嘶芽色条类倒盲太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 * 检验标准 当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净。 当硅片从出料口流出时候，如果发现尾部有部分水珠，HF槽中可以适当补些HF。 去PSG原理： 窃滇钎掩驭稻厉摹躺共邮撮壹浮冈眷尸犯莱痰龚侩房剃狼肘敖董撩鸭扬柯太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 吓扼冈彤喀薄梯册肚涧浩扯沽镶宾滁玻箔媒穴列伺椿帘巴键翁计基审违次太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 SiNx:H减反射膜 死始透切踏朱部怯鞘软七下枝肖厩壳耍绸是悲刑贮玖勃霞棠肛悉偶歼琳稻太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 * SiNx:H简介 物理性质和化学性质： 结构致密，硬度大 能抵御碱金属离子的侵蚀 介电强度高 耐湿性好 耐一般的酸碱，除HF和热H3PO4 捎搐逛冶克矮隧佰揍龚獭藩功济衬透竭巾福咬烈族青芥烩抒鸡容荆媳老尝太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 * PECVD =Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 即“等离子增强型化学气相沉积”，是一种化学气相沉积 PECVD是借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 PECVD 丸希贸傈冶什扒闹套称蹋蘸册鲁光束聋鳖泳龚汇耶狼腮亩嘛泪笺研朱痛童太阳能电池工艺培训资料太阳能电池工艺培训资料 * 安全事项 使用和维护本设备时必须严格遵守操作规程和安全规则，因为： 本设备的工艺气体为Si