第1章半导体物理半导体中的电子状态2.pptVIP

电子的运动方程为如果等能面是球面，由上式可知，改变磁场方向时只能观察到一个吸收峰。但硅、锗是各向异性的，则当磁感应强度相对于晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰，例如硅： （1）若B沿[111]晶轴方向，只能观察到一个吸收峰； （2）若B沿[110]晶轴方向，可以观察到二个吸收峰； （3）若B沿[100]晶轴方向，也能观察到二个吸收峰；认为硅导带底附近等能面是沿[100]方向的旋转椭球面，椭球长轴与该方向重合，则导带最小值在[100]方向上。根据硅晶体立方对称性的要求，也必须有同样的能量在的方向上，共有六个旋转椭球面，电子主要分布在这些极值附近。设k0s表示第s个极值所对应的波矢，s=1,2,3,4,5,6，极值处能值为Ec，k0s沿100方向共有六个，极值附近的能量Es(k)为选取k1，使磁感应强度B位于k1轴和k3轴所组成的平面内，且同k3轴交θ角，则在这个坐标系里，B的方向余弦α、β、γ分别为:α= sin θ，β=0， γ= cos θ （3）磁感应沿[111]方向，则与上述六个100方向的方向余弦?2＝?2＝?2=1/3，则由ω=ωc=qB/mn*可知，因为mn*只有一个值，当改变B时，只能观察到一个吸收峰。 根据实验数据得出硅的有效质量锗的有效质量 导带极值（椭球中心）的确定位置：硅的导带极值位于100方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。锗的导