第一章电子技术学习.pptVIP

1.1.2 N型半导体和 P 型半导体 1.1.2 N型半导体和 P 型半导体 1.2 PN结 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 1.3 半导体二极管 1.3.1 基本结构 1.3.2 伏安特性 1.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 1.4 稳压二极管 3. 主要参数 1.5 半导体三极管 1.5.1 基本结构 1. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 1.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 1.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，因EB的作用，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 集电结反偏，从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 同时因集电结反偏，N区的少子空穴形成的反向电流ICBO。 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB