东南大学电子信息工程23半导体场效应管.pptVIP

2.3 半导体场效应管 2.3.1 结型场效应管 2.3.2 绝缘栅场效应管 2.3.3 场效应管的主要参数及电路模型 2.3.4 双极型和场效应型三极管的比较 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 2.3.1 结型场效应管 1.结型场效应三极管的结构 JFET的结构如图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。P区即为栅极， N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 (1) 栅源电压对沟道的控制作用（uDS =0） 当uGS=0时，耗尽层较窄，导电沟道最宽。 当uGS＜0时，PN结反偏，耗尽层变宽，漏、源间的沟道将变窄，uGS继续减小，沟道继续变窄，沟道电阻加大，当uGS增加到某一值时，两侧的耗尽层相碰，沟道被夹断，沟道电阻趋于无穷大，这时的uGS称为夹断电压UGS(off)。 (2) 漏源电压对沟道的控制作用 一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的 绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为 衬底，用符号B表示。 当栅极加有电压时，若 0＜uGS＜UGS(th)时，通过栅