电磁场第2.pptVIP

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电荷的最小单元为基本电荷数,用e表示 e=1.602×10-19 (C)   它是一个质子的电量,电子的电量为-e,库仑(C)是MKSA国际单位制中电量的单位,1库仑的电荷是基本电荷的6.24×1018倍。   在讨论宏观电现象时,通常认为电荷是连续分布的。设点电荷q′和q分别位于r′(x′,y′,z′)和r(x,y,z),如图2-2所示,点电荷q′作用于点电荷q的电场力为电场力的单位是牛顿(N)。 电场中某点处的电场强度E(r)定义为单位试验电荷在该点所受的力。其数学表达式为 电场强度的单位为伏/米(V/m)或牛/库仑(N/C)。 【例2-1】求区域V中体电荷密度为ρV的带电体在空间r点的电场强度E(r)。   解 如所示,在体电荷区域中某一点r′,取体积元dV′,该体积元中的电量ρV(r‘)dV′可看成一点电荷,该点电荷在r点的电场为:【例2-2】一个半径为a的均匀带电圆环,求轴线上的电场强度。   解 假设电荷线密度为ρl,取如图所示的坐标系,圆环位于xOy平面,圆环中心与坐标原点重合,则即式中,2πaρl表示圆环的电量。当z=0时,E(r)=0,表示线电荷对场的贡献在环心互相抵消。当z→∞时,半径a可以忽略不计,场强反比于z的平方,相当于带电量Q=2πaρl的点电荷的电场强度。 【例2-3】 计算半径为a、电荷面密度ρS(r)为常数的均匀带电圆盘在轴线上的电场强度。当z→0+时,;当z→0-时,。 这表明:在薄圆盘的两侧,场强等值反向,这完全是圆盘上面电荷引起的结果。 【例2-4】一条无限长直导线上均匀分布着线密度为ρl的电荷,应用高斯定理计算周围任一点的电场强度。 2.5.1 电场强度矢量E的旋度【例2-5】 在半径为a的球体内均匀分布着电荷,总电荷量为q,求各点的电场E(r),并计算E(r)的散度和旋度。解 :如图所示,在ra的区域内,取半径为r的同心球面为高斯面,根据高斯定理有: 在ra的区域内,同样作半径为r的高斯面,有所以 写成矢量形式,即 ra区域内,有ra区域内,有  电偶极子定义为: 一对极性相反 且非常靠近的等量电荷. 2.7.1 电场中的导体   导体的特点是其中有大量的自由电子,因此导体是指自由电荷可以在其中自由运动的物质。 【例2-6】一个内半径为b、外半径为c的孤立导体球壳,内部同心放置一个电荷均匀分布、半径为a的球,如图2-13所示。试求空间各处的电场强度。   解 设球体a的电荷密度为ρ,将图2-13所示的空间分成以下四个区域: 2.7.2 电场中的电介质 介质极化: 在外加电场的作用下,电介质分子中的正负电荷可以有微小的移动,但不能离开分子的范围,其作用中心不再重合,形成一个个小的电偶极子,极化的电偶极子会产生二次电场,叠加于原场之上,使电场发生变化。   1.极化强度 单位体积内的偶极矩数,用表示,单位为库/米2(C/m2)。2.极化强度与极化电荷的关系3.电介质中的静电场方程   如果电介质中除了束缚电荷密度还有自由电荷密度ρ,则自由电荷的作用也必须同时考虑,即极化电荷与自由电荷都是产生电场的源。在电介质中,高斯定理的微分形式可写为在各向同性的均匀线性电介质中,电极化强度P与电场强度E成正比,即P=ε0χeE【例2-7】有一带电系统如图2-16所示,介质球壳的相对介电常数为εr,球壳中心所带电量为q,求空间各点的电场和极化电荷分布。   解 (1)分析电场强度的分布。根据系统的对称性,空间电场E=E(r)er。①区域Ⅰ,0<r<a,因为球面包围总电荷为q,即 所以电场强度为D=εE仍保持不变。因为极化强度为 2.7.3 电场中的半导体   2.8.1 D的法向分量   设两种不同的电介质ε1和ε2,其分界面的法线方向为,在分界面上作一小圆柱形表面,两底面分别位于介质两侧,底面积为ΔS,高h为无穷小量,,因此ΔS′→0,2.8.2 E的切向分量   在分界面上作一小的矩形回路,其两边长Δl分居于分界面两侧,而高h→0,将方程用于此回路,得 2.8.3 电位的边界条件  由:D1n-D2n=ρS,可得2.8.4 两种常见情况   1.介质分界面上的边界条件   由于在两种介质分界面上不存在自由电荷,即ρS=0,因此在这样的界面上边界条件为2.导体表面上的边界条件   设导体为媒质1、导体外介质为媒质2,并考虑到导体内部电场强度和电位移矢量均为零且其电荷只能分布在导体表面,得 D1n-D2n=Dn=ρS,E1t=E2t=0 其中,ρS是导体表面的电荷面密度。【例2-8】半径分别为a和b的同轴线,外加电压为U,如图2-20所示。圆柱电极间在图示θ1角部分填充介电常数为ε的介质,其余部分为空气,求内外导体间的电场。   解

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