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理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性半桥、全桥和LLC的电源系统以及电机控制系统的主功率MOSFET、同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管，其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。功率MOSFET的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比，其反向恢复速度要低很多，反向恢复电荷也要大很多，因此反向恢复的特性较差。这样，导致二极管的开关损耗增加，降低系统的效率，同时，也会产生较高的振铃，影响功率MOSFET的安全工作 。功率MOSFET数据表中，通常给出了一定条件下的Qrr和反向恢复的时间，并没有给出和实际应用相关的、在不同的起始电流和不同的电流下降斜率下，对应的反向恢复特性，本文就讨论这些问题并做详细的分析。?MOSFET的结构及反向恢复波形分析沟槽Trench型N沟道增强型功率MOSFET的结构如图1所示，在N-epi外延层上扩散形成P基区，然后通过刻蚀技术形成深度超过P基区的沟槽，在沟槽壁上热氧化生成栅氧化层，再用多晶硅填充沟槽，利用自对准工艺形成N+源区，背面的N+substrate为漏区，在栅极加上一定正电压后，沟槽壁侧的P基区反型，形成垂直沟道。由图1中的结构可以看到，P基区和N-epi形成了一个PN结，即MOSFET的寄生体二极管。图1 MOSFET内部结构图2 反向恢复波形?当体二极管外加正向电压VF时，正向电压削弱了PN结的内电场，漂移运动被削弱，扩散运动被增强，扩散和漂移的动态平衡被破坏。结果造成P区的空穴（多子）流向N区，N区的电子(多子）流向P区，如图1中箭头所示。进入P区的电子和进入N区的空穴分别成为该区的少子。因此，在P区和N区的少子比无外加电压时多，这些多出来的少子称为非平衡少子。这些非平衡少子，依靠积累时浓度差在N区和P区进行扩散。空穴在N区扩散过程中，同N区中的多子电子相遇而复合，距离PN结边界越远，复合掉的空穴就越多。通常把正向导通时，非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷存储效应。当体二极管施加反向电压时，P区存储的电子和N区存储的空穴不会马上消失，它们将通过两个途径逐渐减少：a. 在反向电场作用下，P区电子被拉回N区，N区空穴被拉回P区，形成反向漂移电流；b. 与多数载流子复合。通过图2可以很好地说明整个反向恢复的过程。a. T0～T1阶段，PN结处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，PN结的电阻很小，二极管的正向电流以一固定的di/dt逐渐减小，di/dt的大小由外电路决定；b. T1～T2阶段，二极管的存储电荷在反向电压的作用下开始扫出，但PN结仍未形成耗尽层，反向电流由扫出的过量电荷维持。因此二极管不能承受反向电压，电流仍以di/dt速率下降；c. T2～T3阶段，PN结处等离子浓度衰减为0，即在PN结处形成耗尽层，PN结开始承受反向电压。由于二极管反向电压的上升，导致了反向恢复电流的di/dt逐渐减小；在T3时刻，二极管电压达到VDC，di/dt降到0，扫出电流达到最大值，即IRR；d. T3～T4阶段，反向电流由从等离子区扩散到耗尽层的载流子维持，由于等离子的持续耗散，在空间电荷区的边缘过量电荷浓度的梯度逐渐减小，导致T3后的反向电流将减小。由于负di/dt的存在，二极管上的反向电压将会出现超调，当电流降为0时，反向电压将会达到最大值。T4之后，回路进入了RLC自由振荡阶段。?反向恢复中的di/dt分析图3 反向恢复仿真电路?由于di/dt直接影响了反向恢复电流IRR的大小，因此分析di/dt的变化对实际应用将会很有意义。为分析影响di/dt大小的因素，设计了图3所示的电路。其中U2为被测器件，U1为开关管，为电感提供电流以及为U2提供反向电压，L1为线路的寄生电感，L2为负载电感，用来提供正向电流IF。电路工作过程如下，当U1导通时，电感L2的电流上升，其峰值电流为，当U1关断时，L2的电流经U2的体二极管续流，此电流即为二极管的正向导通电流IF。当U1再次打开时，VDC通过L1、U1施加正向电压于U2的体二极管，使其进入反向恢复阶段。?1 T2时刻之前的di/dt分析在T2时刻之前，U2的体二极管反向导通电阻很小，可以忽略不计，因此根据回路的KVL方程可得??(1)由式（1）可知，di/dt由三个因素决定，即VDC，VDS(U1)，L1。VDC越高，VDS(U1)、L1越小，di/dt就越大。下面通过三个试验来研究di/dt的变化情况。试验1：改变寄生电感由于回路的寄生电感L1改变比较困难，所以通过仿真的方法来验证di/dt的变化情况。图4为L1为不同电感值的仿真结果，可以看到，电感值越小，di/dt越大，反向恢复电流IRR也越大。?图4 不同L1的反向恢复仿真波形?试验2：改变U1的开通速度通过控制U1的栅极电容C1来改变U1的开通速度同样也可