二极管11.pptVIP

* 课 程 介 绍 模拟电子技术基本放大电路集成运算放大器及其应用直流电源晶闸管电路 数字电子技术基本门电路组合逻辑电路触发器时序逻辑电路 课 程 要 求 教学内容： 1、基本部件的工作原理 2、基本电子器件的特性及其应用 3、基本电路的分析 4、简单电路的设计 试验内容： 1、基本放大电路测试 2、集成运算放大器的使用 3、整流滤波的认识 4、数字电子电路测试基本门电路、组合逻辑电路、时序逻辑电路 考 核 方 式 1、闭卷考试（80%） 2、作业（10%） 3、实验（10%） 第一章 基本放大电路 第一节 PN结 一、半导体 1、纯净半导体（硅、锗）中的载流子（电子与空穴） （1）在外界能量作用下产生成对存在的电子与空穴。 （2）在电场作用下产生，由电子形成电子流，而由空穴形成空穴流。 （3）电子与空穴成对复合。N型半导体中电子数远远大于空穴数。多子是电子（其数量主要取决于杂质的掺杂浓度）少子是空穴（其数量主要取决于环境的温度） （1）N型半导体（ 在硅（锗）中掺入 5 价元素（磷、砷等）） 多子 2、杂质半导体中P型半导体中空穴数远远大于电子数。多子是空穴（其数量主要取决于杂质的掺杂浓度）少子是电子（其数量主要取决于环境的温度） （2）P型半导体（ 在硅（锗）中掺入 3 价元素（硼、铟等）） 空穴 多子 二、PN结及其单向导电性 1、PN结的形成 （1）多子扩散逐渐加宽空间电荷层（耗尽层，阻挡层），形成逐渐增强并阻碍多子扩散、阻碍空间电荷层加宽的内电场。 （2）少子在内电场作用下产生漂移，消弱内电场，使阻挡层变窄； （3）多子扩散和少子漂移最终达到动态平衡，空间电荷层相对稳定。扩散电流与漂移电流大小相等，方向相反，PN结中电流为零。 2、PN结单向导电性 （1）PN结加正向电压（正向偏置） 限流电阻a、外加电场使得内电场被消弱，从而加剧了多子扩散；多子向耗尽层的扩散使空间电荷层变窄；b、空间电荷层变窄更有利于多子扩散而抑制少子漂移；c、多子扩散电流称为正向电流（PN），此时称PN结导通； PN结正偏：PN结导通，电阻很小，正向电流较大； a、外加电场增强内电场，从而阻碍多子扩散而增强了少子的漂移，使得空间电荷层变宽； b、少子漂移电流（NP），称为反向饱和电流； c、反向饱和电流很小，且外加电压超过一定数值时，基本不随电压的增加而增加。 （2）PN结加反向电压（反向偏置） PN结反偏：PN结截止，电阻很大，反向电流很小； 第二节 半导体二极管 一、二极管的结构 1、组成PN结、阳极引线、阴极引线、管壳； 2、分类点接触型(图a)高频、工作电流小面接触型(图b)低频、工作电流较大 2、符号(图c) 二、二极管的VA特性 U I I = f（U） 1、正向特性 死区电压：硅：0.5V锗：0.1V 正常工作时的管压降硅：0.7V锗：0.3V2、反向特性反向电流由少子形成， 因此反向电流一般很小； 小功率硅管：小于1微安； 小功率锗管：几十微安； 3、反向击穿特性反向击穿：外加电压达到一定数值时，在PN结中形成强大的 电场，强制产生大量的电子和空穴，使反向电流剧增； 4、温度对VA特性的影响（了解） 三、二极管的主要参数 用于描述二极管的导电特性，是选择和使用二极管的依据。 1、最大整流电流IF 意义：二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流； 2、最高反向工作电压URM 意义：二极管工作时允许施加的最大反向电压；URM 通常取反向击穿电压的一半； 3、反向电流 IR 意义：室温下二极管未击穿时的反向电流；IR 越小，二极管的单向导电性能越好； 4、最高工作频率 fM 意义：二极管正常工作时所加电压的最大频率；fM 受PN结的结电容限制，与结电容成反比； 例1-1 ui=10sinwt (v) E=5v R=1k欧姆 忽略二极管的 正向压降和 反向电流 画出uo的波形 （1） ui E 时，二极管反向截止， uo = ui; （2） ui E 时，二极管正向导通， uo = E; 例1-2判断二极管的 工作状态。 判断方法： 正向偏置VAVB；导通； 反向偏置VAVB；截止； 解题方法：断开二极管2AP1， 求VA和VB VA = 15 ×（10/（10+140））=1V； VB = -10×（2/（18+2）） + 15×（5 /（25+5））=1.5V；VAVB，所以，二极管2AP1截止； *