2016华工模拟电子第二学期作业答案.docVIP

教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章 半导体器件 1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将(　　b　　)。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有(　　b　　)。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压(　　a　　)。 (a)正向电压大于PN结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4理想二极管的反向电阻为(　　 b　　)。 (a)零 (b)无穷大 (c)约几百千欧 5电路如图1所示，设，均为理想元件，已知输入电压=150sinV如图2所示，试画出电压的波形。 解：（1）ui 小于60v时D1截止D2导通，uo=80v； （2）ui 大于60v小于100v时D1、D2都导通，uo=ui； （3）ui 大于100v时D1 导通D2截止，uo=100v。 6电路如图1所示，设输入信号,的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2的工作状态。 解：t1:D1导 通，D2截 止 t2 :D2导 通，D1截 止 7电路如图所示，试分析当时，哪些二极管导通？当时，哪些二极管导通？（写出分析过程并设二极管正向压降为）。 解：当Ui=3v时,D2D3D4D导通；Ui=0v时,D1导通 因为：5v电源有两个回路，左边D2D3D4回路，D2，D3，D4的压降各为0.7v，所以该回路中电阻的压降是5-3x0.7=2.9v，电阻下端是5v电源正极，故电位为+5v，上端是a点。且电阻压降2.9v， 所以a点电位是+2.1v 好，看一下D1两端的电位，左边是3v电源正极，故电位为+3v,。右边是a点，故电位为+2.1v 第2章 基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图(　　b　　)。 2图示电路，已知晶体管，，，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA，RB应取(　 a　　)。 (a)480k( (b)120k( (c)240k( (d)360k( 3电路如图所示，RC＝3k(，晶体管的β＝50，欲使晶体管工作在放大区， RB应调至(　　b　　)。 (a)10k( (b)100k( (c)300k( (d)∞ 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T的，，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（UB，UC，UE）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。 解：（1）当RB1开路时，偏置电路如下所示： UBE=0 ，IB=0，IC=0，IE=0， UB=0，UCC=12VUE=0 此时晶体管处于截至状态 当RB2处于开路时，偏置电路如下所示 ICS≈UCC/(RC+RE)=12/3mA=4mA，IBS≈ICS/β=0.1mA IB≈UCC/(RB+(1+β)RE)=(12-0.7)/(20+41*1)=0.185mA，IBIBS，此时晶体管处于饱和状态， UE≈4V，UB≈4.7V，UC≈4V 5放大电路如图所示,已知晶体管的输入电阻，电流放大系数=50，要求: 画出放大器的微变等效电路； (2)计算放大电路输入电阻及电压放大倍数。 解：ri=RB∥rbe=0.79kΩ，RB=RB1∥RB2 Au=-β（RC∥RL）/rbe=-50(2.5∥2)/1=-62.5 6电路如图所示，已知，，，要求: (1)今测得，试求发射极电流以及晶体管的 (2)欲将晶体管的集射极电压减小到8V，试求RB应如何调整？并求出其 值。(3)画出微变等效电路。 第三章 多级放大电路 1由两管组成的无射极电阻简单差动放大电路，欲在双端输出时能很好的抑制零点漂移必须使得(　　a　　)。 (a)电路结构对称，两管特性及对应的电阻元件参数相同。 (b)电路结构对称，但两管特性不一定相同。 (c)两管特性及对应的电阻元件参数相同，但电路结构不一定对称。 2在多级直接耦合放大电路中，导致零点漂移最为严重的是(　a　　　)。 第一级的漂移 (b)中间级漂移 (c)末级漂移 3在直接耦合放大电路中，采用差动式电路结构的主要目的是(　　b　　)。 (a)提高电压放大倍数 (b)抑制零点漂移 (c)提高带负载能力 4电路如图所示，微安表的读数为，AB支路的总电阻，=50,，计算时忽略的影响，且不计微安表的内阻。要求：(1)指出电路的输入，输出方式；(2)电路是如何抑制零点漂移的？(3)计算输入电压的大小。 解：(1)该电路为单端输入，双端输出。由于电路的对称性，温度的变化对T1、T2两管组成的左右两个放大电路的影