低频电路5.ppt

《低频电子线路》 《低频电子线路》 刘志军 信息科学与工程学院 上节课内容回顾 1.2.5 晶体二极管及其基本电路 1.2.6 二极管基本应用电路 1.2.7 其他二极管简介 本节课内容 双极型晶体三极管 双极型晶体管的导电原理 晶体管电流分配关系和放大作用 晶体三极管的放大作用 §1.3 双极型晶体三极管 Bipolar Junction Transistor 缩写 BJT 简称晶体管或三极管 双极型 器件 两种载流子（多子、少子） 结构和符号表示（图）   ? 文字符号: 新符号： V （单符号） VT (双符号) 原符号： BG T  解释 三个电极 发射极，基极，集电极 发射极箭头方向是指实际电流方向 三个区 发射区(高掺杂)，基区(很窄)，集电区 两个PN结 发射结(eb结),集电结(cb结) 1.3.1 双极型晶体管的导电原理 双极型晶体管工作 ----是依靠管子内部“非平衡载流子”的传输作用。 晶体管主要功能: 晶体管具有的能力 电流控制（current control） 电流放大（current amplify） 内部机理 晶体管工作的内部机理： -------“非平衡载流子”的传输 非平衡载流子传输三步曲(以NPN为例) ①发射区向基区的多子注入 (扩散运动）为主 ②基区的 复合 和 继续扩散 ③集电结对非平衡载流子的收集作用（漂移为主） ?晶体管内部工作原理（图） 晶体管工作条件 ①内部条件 发射区高掺杂(故管子e、 c极不能互换) 基区很薄(几个?m) ②外部条件 发射结(eb结)正偏 集电结(cb结)反偏 ①在发射结处 以NPN为例。 eb结正偏，扩散运动﹥漂移运动。 发射区和基区多子（电子和空穴）的相互注入。但发射区（e区）高掺杂，向P区的多子扩散（电子）为主（IEn）,另有P区向N区的多子（空穴）扩散，故相互注入是不对称的。扩散(IEP)可忽略。 以上构成了发射结电流的主体。 ②在基区内 基区很薄。 一部分 (N区扩散到P区的）不平衡载流子（电子）与基区内的空穴（多子）的复合运动（复合电流IBn ）。 大多数不平衡载流子连续扩散到cb结边缘处。 以上构成了基极电流（ IBn）的主体。 ③在集电结处 集电结反偏。 故 漂移运动＞扩散运动。 集电结（自建电场）对非平衡载流子（电子）的强烈吸引作用(收集作用）形成Icn1。 另外有基区和集电区本身的少子漂移（电子和空穴），ICP+ICN2=ICB0，形成反向饱和漏电流。 电流连续 内部载流子（非平衡载流子为主体）的连续运动使得外电路（闭合回路）电流连续。 ?电流关系 发射极电流 IE=IEn+IEp≈IEn (IEn﹥﹥IEp) 其中，Ien ----- 多子扩散电流（电子） Iep ------ 多子扩散电流（空穴） 电流关系 基极电流 IB= IBn+IEP－(ICp+ICn2) = IBn+IEP －ICBO ≈ IBn－ ICBO  ≈ IBn ICBO ---- 反向饱和漏电流 电流关系 集电极电流 IC = ICn1+(Icp+Icn2) = Icn1+ICBO ≈ Icn1  Icn1-------- 集电结收集非平衡载流子电流 Icn2------- 集电结少子漂移电流 外电路电流 IE = IB + IC -----可以视为 结点关系（KCL）  1.3.2 晶体管电流分配关系和放大作用  晶体管各个电极流过的电流，有一定的比例关系和相对的控制作用。由于放大器的组态不同，可以形成电流“放大”的效果。 ⒈晶体管电流分配关系 晶体管各极电流保持一个固定的 比例关系。 ⑴共基极直流电流放大系数 ? = Icn1 / IE = (IC－ICBO) / IE≈ IC / IE  ? 表示IC 与 IE 的 比例关系。 ? 一般为 0.95～0.99。 IC = ? IE+ ICBO ≈ ? IE ⑵共发射极直流电流放大系数 由 IE ＝ IB＋ IC 和 IC ＝ ? IE ＋ ICBO IC＝ IE－ IB ＝ 〔（ IC－ICBO）/ ? 〕 － IB ＝ IC / ? － ICBO / ?－ IB ∴ IC / ? － IC ＝ ICBO / ? ＋ IB