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⑶共模抑制比KCMR－定义为差模信号电压增益与共模信号的电 压增益之比的绝对值 衡量放大电路放大差模信号和抑制共模信号能力的技术指标； 差分式放大电路中若电路参数对称，由双端输出，共模电压增益Avc=0，kCMR趋近于无穷大； 如从单端输出，则共模抑制比为： 6.2.2射极耦合差分式放大电路 单端输入、双端输出的方式 r R T + R b T 1 O b 2 － id v i e i1 v + - i2 v + - R R c c vid/2 vid/2 vid/2 高频响应同共射极放大电路，由于采用了直接耦合，故低频响应很好。 不同输入输出方式下的差分放大电路的性能比较，见p.270表。 （４）频率响应 6.2.1 基本差分式放大电路 6.2.1 基本差分式放大电路 (1) 恒流源相当于阻值很大的交流电阻，直流电阻并不大 (2) 恒流源不影响差模放大倍数 (3) 恒流源影响共模放大倍数，使共模放大倍数减小，从而增加共模抑制比，理想的恒流源相当于阻值为无穷大的电阻，所以共模抑制比是无穷大 恒流源的作用 例1：?＝50， Rb=20k?，Rc=RL=Re=10k?，rbb=300?，VBEQ=0.6V 求：静态时IB1、IC1、VCE1；双端输出时A?vd、Avc、KCMR、差模输入、输出电阻 ans：静态时，两只BJT的集电极电位相等， RL对静态无影响； Re中电流为2IE，差模信号下， Re相当于短路； 差模交流负载为RL的一半 vo vi +12V Rc Rb Rc Rb Re –12V vo vi +12V Rc Rb Rc Rb Re –12V ?＝50， Rb=20k?，Rc=RL=Re=10k?，rbb =300?，VBEQ=0.6V 2.JFET差分式放大电路 JFET差分式放大电路的电路结构、工作原理和分析方法与BJT基本差分式放大电路基本相同； JFET差分式放大电路的输入电阻可达1012Ω，输入偏置电流约为100pA数量级； MOSFET差分式放大电路其输入电阻可达1015Ω，输入偏置电流在10pA以下。 6.2.3 源极耦合差分式放大电路 2.JFET差分式放大电路 vi1 +VDD +15V Rd1 Rg1 Rd2 T1 T2 Rg2 -VSS -12V vO2 vi2 T3 IO Vs + - vGS1 + - vGS2 vO1 Rd1 Rd2 Rg1 Rg2 特点：输入电阻高、输入偏置电流小 当电路输入差模信号 ①当vi1-vi2=0时，电路处于静态工作状态Q点处； ②vid在0~±VT时，vo1、vo2与vid呈线性关系； ③vid在±VT~ ±4VT时，vo1、vo2与vid呈非线性关系； ④vid4VT和vid-4VT时，曲线趋于平坦，进入截止区；vO= ±Vom= ±VCC，差分式放大电路呈现良好的限幅特性； 在两管射极和公共端串接射极电阻可以扩大线性工作范围； JFET组成的源极耦合差放电路的线性范围比射极耦合电路大许多 6.3 差分式放大电路的传输特性 P N 输入级 集成运放运算放大器的内部结构框图 由输入级、中间级、输出级和偏置电路 中间级 输出级 O P N 6.4 集成电路运算放大器 集成运放按制造工艺分有BJT、CMOS和兼容型的BiFET型； BJT型运放一般输入偏置电流及器件功耗较大，输出级可提供较大的负载电流； CMOS型运放输入电阻高、功耗低、可在低电源电压下工作； BiFET兼容性运放一般以FET作为输入级，具有高输入电阻、高精度和低噪声的特点。 6.4.1CMOS MC14573集成电路运算放大器 差放管输入级 有源负载 直流偏置 共源放大电路 给T7提供偏置 内部补偿电容 6.4.2 BJTLM741集成运算放大器 ?A741、MC741、KA741 输入级 偏置电路 中间级 输出级 A B A B 1. 偏置电路 T12、R5和T11构成了主偏置电路，产生基准电流，其他偏置电流都与基准电流有关 T10、T11和R4组成微电流源，通过T8和T9组成的镜象电流源为差分输入级提供偏置电流 T12和T13管构成多支路电流源。T13管是多集电极三极管，其集电极电流和的大小比例为3:1。B路作为中间级的有源负载。A路为输出级提供偏置 A B 2. 输入级 T1、T2和 T3、T4管组成共集一共基复合差分输入电路。其中T1和T2管作为射极输出器，输入电阻高 T3 和T4管是横向PNP管，发射结反向击穿电压高，可使输入差模信号达到30V以上 T5 、T6 、T7 和R1 、R2 、R3组成具有基极补偿作用的镜像电流源，作为差分输入级的有源负载，可以提高输入级的增益 它们同时还有单端输出转换为双端增益的功能 A