第4章 半导体分立元件及其基本电路.pptVIP

Chapter 4 第一章 半导体分立元件 及其基本电路 主要内容 半导体的基本知识与PN结 半导体二极管及其应用电路 放大电路的基本概念及其性能指标 半导体三极管及其应用电路 场效应管及其放大电路 1.1 半导体的基本知识与PN结 1.1.2 PN结 1.2 半导体二极管及其应用电路 1.2.2 二极管伏安特性 1.2.3 主要参数 1.2.4 二极管的电路模型 1.2.5 二极管应用电路 例1.1 1.2.6 特殊二极管 1.3 放大电路的基本概念及其性能指标 1.3.1 放大电路的基本概念 1.3.2 性能指标 1.4 三极管及其放大电路 三极管 共发射极放大电路 射极输出器 1.4.1半导体三极管 1. 三极管的结构与符号 2.电流分配与放大作用 3.三极管的特性曲线 4.三极管的主要参数 5. 三极管的其它形式 1.4.2 共发射极放大电路 共射极放大电路的组成及放大原理 静态分析 动态分析 射极偏置电路 1. 共射极放大电路的组成及放大原理 2. 静态分析 例4.2 3. 动态分析 (1)图解分析法 (2)小信号模型分析法 例4.3 例4.4 4. 射极偏置电路 4.4.3 射极输出器 分析图示各电路有无正常电压放大的能力。 无电压放大能力。 因为没接入RC，交流输出短路。 无电压放大能力。 因为VBB对交流输入信号短路，ui无法控制ib。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 按结构可分为：NPN型和PNP型。 集电极，用C表示 集电区，掺杂浓度低 基极，用B表示 基区，薄 发射区，掺杂浓度高 发射结 集电结，面积比发射结大 发射极，用E表示 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 b e c b e c NPN型与PNP型三极管的工作原理相似，只是使用时所加电源的极性不同。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 用实验说明三极管的电流分配与放大作用 实验电路采用共发射极接法，NPN 型管。 为了使三极管具有放大作用，电源 EB 和 EC 的极性必须使发射结上加正向电压(正向偏置)，集电结加反向电压(反向偏置)。 改变可变电阻 RB，则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化， Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. IB/mA IC/mA IE/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 三极管电流测量数据 结论：(1) 符合KCL，且 IC≈IE (2) IB 对IC有控制作用。 IB的改变控制了IC的变化，体现了三极管的电流控制作用。 电流放大系数 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. NPN 型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 UC UB UE PNP 型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 UC UB UE 三极管实现放大的外部条件： 发射结加正向电压，集电结加反向电压。 IC IE IB B ? ? ? ? UBE + ? UCE + ? E C IC IE IB B ? ?