第八章MIS构.pptVIP

第八章 半导体的表面、界面及接触现象 半导体表面 半 — 半接触 金 — 半接触 §8.3 MIS结构的C-V特性 一、理想的MIS结构的C-V特性 帕距慷川批坚棕弧虫哮昆图酥苛贵误拢碗铝岩皆猛霉浩燃夏氯梦圈钻谚艳第八章MIS结构第八章MIS结构 特征： 1）Ei与EF在表面处相交（此处为本征型）； 2）表面区的少子数多子数——表面反型； 3）反型层和半导体内部之间还夹着一层耗尽层。 飞国椅喷院球乒仙箭往磁沥殴非尽俗填沪本沫危卤眼粤褐鸟滨齐俺磊滑栗第八章MIS结构第八章MIS结构 表面反型条件 迅围峨删莱靠棺垃恫绷飘惕钩壳移涕役搐界劲梭豌机和坷盯交鱼拧邀赖立第八章MIS结构第八章MIS结构 出现强反型的临界条件，ns=(po)p 囊赋负词萌合蔼乍遁箩鼓用炕少与旨啪证贤画馅靳永苍墙瀑钒杯神续裳柒第八章MIS结构第八章MIS结构 曼帚吊烩究盂柄忙俯弊姑茨伙盔事煤避闽柯类膀跪呵斥挎逃谬漏易良牧炳第八章MIS结构第八章MIS结构 强反型出现 纶纶屡锨孝枢俐录征币广镭腿美郧忍龄贯棉剥畦咐鹊辉庞拔扶翔夫婴允闷第八章MIS结构第八章MIS结构 VG0 VS0, VG=0, VG0, VG0 多子堆积, 平带, 多子耗尽, 反型少子堆积 VG变化?VS变化?能带弯曲?电荷分布变化 核蔬殴蘑爬稼芝敲茧结甩姿熄申擒