场效应管工作在恒流区.pptVIP

第二章 基本放大电路 第二章 基本放大电路 一、放大的概念 二、性能指标 1. 放大倍数：输出量与输入量之比 2. 输入电阻和输出电阻 3. 通频带 一、电路的组成及各元件的作用 二、设置静态工作点的必要性 三、基本共射放大电路的波形分析 四、放大电路的组成原则 静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电路参数。 动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号。 对实用放大电路的要求：共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。 （1）直接耦合放大电路 （2）阻容耦合放大电路 一、放大电路的直流通路和交流通路 1. 直流通路：① Us=0，保留Rs；②电容开路； ③电感相当于短路（线圈电阻近似为0）。 2. 交流通路：①大容量电容相当于短路；②直流电源相当于短路（内阻为0）。 基本共射放大电路的直流通路和交流通路 阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路 1. 用NPN型晶体管组成一个在本节课中未见过的共射放大电路。 2. 用PNP型晶体管组成一个共射放大电路。 画出图示电路的直流通路和交流通路。 二、图解法 应实测特性曲线 2. 电压放大倍数的分析 3. 失真分析 截止失真 消除方法：增大Rb，减小Rc，减小β，减小VBB，增大VCC。 讨论一 讨论二 三、等效电路法 半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复杂化。利用线性元件建立模型，来描述非线性器件的特性。 2. 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型） 在交流通路中可将晶体管看成为一个二端口网络，输入回路、输出回路各为一个端口。 在低频、小信号作用下的关系式 h参数的物理意义 简化的h参数等效电路－交流等效模型 3. 放大电路的动态分析 阻容耦合共射放大电路的动态分析 基本共射放大电路的静态分析和动态分析 阻容耦合共射放大电路的静态分析和动态分析 讨论二 波形分析 一、温度对静态工作点的影响 二、静态工作点稳定的典型电路 2. 稳定原理 Re 的作用 3. Q 点分析 4. 动态分析 三、稳定静态工作点的方法 引入直流负反馈 温度补偿：利用对温度敏感的元件，在温度变化时直接影响输入回路。 例如，Rb1或Rb2采用热敏电阻。 讨论一 一、基本共集放大电路 2. 动态分析：电压放大倍数 2. 动态分析：输入电阻的分析 2. 动态分析：输出电阻的分析 二、基本共基放大电路 2. 动态分析 三、三种接法的比较：空载情况下 接法 共射 共集 共基 Au 大 小于1 大 Ai β 1＋β α Ri 中 大 小 Ro 大 小 大 频带 窄 中 宽 图示电路为哪种基本接法的放大电路？它们的静态工作点有可能稳定吗？求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。 讨论二 讨论二 一、场效应管（以N沟道为例） 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 转移特性 输出特性 2. 绝缘栅型场效应管(MOS) 增强型MOS管uDS对iD的影响 耗尽型 MOS管 MOS管的特性 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 §2.7 派生电路 一、复合管 复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 反型层 增强型NMOS管 大到一定值才开启 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 刚出现夹断 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 3. 场效应管的分类 一、复合管 二、派生电路举例