高三物理月考、联考、模拟电磁感应大题技巧.docVIP

电磁感应 1．平行金属导轨与水平面成θ角，R1R2 = 2R，匀强磁场垂直穿过导轨平面。有一导体棒ab质量为m，棒的电阻R，棒与导轨之间的动摩擦因数为μ。导体棒ab沿导轨向上滑动，当上滑的速度为v时，定值电阻R2消耗的电功率为P，下列正确的是 A．v cosθ B．此装置消耗的机械功率为 μ mg v cosθ C．导体棒受到的安培力的大小为v D．导体棒受到的安培力的大小为v 【答案】C； 【解析】根据功率计算公式，则此时重力的功率为mg v sinθ，即选项A不正确；由于摩擦力 f=μmgcosθ，故因摩擦而消耗的热功率为 μmgvcosθ，由法拉第电磁感应定律得 E=BLv，回路总电流 I=E/3R，导体棒滑动R1 = R2 = 2R，棒的电阻R，当上滑的速度为v时，定值电阻R2消耗的电功率为P，定值电阻R消耗的电功率为P导体棒ab消耗的电功率为P，故整个电路消耗的电功率为P，同时克服安培力做功转化为电功率，所以导体棒受到的安培力的大小为P / v ,即选项C正确，而D错误．2．在倾角为θ的光滑斜面上，存在着两个磁感应强度大小为B的匀强磁场，磁场的宽度均为L，一个质量为m、电阻为R、边长也为L的正方形导线框，由静止开始沿斜面下滑，当ab边刚越过GH进入磁场区时，恰好以速度 v1做匀速直线运动；当ab边下滑到JP与MN的中间位置时，线框又恰好以速度v2做匀速直线运动，从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中，线框的为E，重力对线框做功为W1，安培力对线框做功为W2，下列说法中正确的有 A．v2v1 = 1 ：2 B．v2v1 =1 ：4 C．从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程W2 等于 △E D．从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中，线框动能变化量为W－W当ab边刚越过GH进入磁场区时，恰好以速度 v1做匀速直线运动1=BL v1，回路总电流 I1=E1/R，导体棒滑动1=BI1L;当ab边下滑到JP与MN的中间位置时，线框又恰好以速度v2做匀速直线运动，正方形导线框v2，回路总电流 I2=E2/R，导体棒滑动，故容易得到v2 ：v1 =1 ：4 ，即选项B正确．从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中，线框的为E，线框的安培力对线框做功W2等于线框的E.在这个过程中，线框的，同时线框的重力W1，，线框动能变化量为W1－W°．一束带电量q=8.0×10-19C的正离子从P点射入平行板间，沿中线PQ做直线运动，穿出平行板后从y轴上坐标为（0，0.2m）的Q点垂直y轴射入磁场区，离子通过x轴时的速度方向与x轴正方向夹角在45°~90°之间.则：（1）离子运动的速度为多大？（2）离子的质量应在什么范围内？ （3）现只改变AOy区域内磁场的磁感应强度大小，使离子都不能打到x轴上，磁感应强度大小B2′应满足什么条件？ 答案3．解：（1）设正离子的速度为v，由于沿中线PQ做直线运动，则有 （1分） 代入数据解得 v=5.0×105m/s （2分） （2）设离子的质量为m，如图所示，当通过x轴时的速度方向与x轴正方向夹角为45°时，由几何关系可知运动半径 r1=0.2m （1分） 当通过x轴时的速度方向与x轴正方向夹角为90°时，由几何关系可知运动半径 r2=0.1m （1分） 由牛顿第二定律有 （1分） 由于 （1分） 解得 （2分） （3）如图所示，由几何关系可知使离子不能打到x轴上的最大半径 （1分） 设使离子都不能打到x轴上，最小的磁感应强度大小为B0，则 （1分） 代入数据解得 B0==0.60T （1分） 则 B2′≥0.60T（或B2′0.60T）（1分） 4.（13分）如图甲所示，两根足够长、电阻不计的光滑平行金属导轨相距为L1＝1m，导轨平面与水平面成θ＝30(角，上端连接阻值R＝1.5Ω的电阻；质量为m＝0.2kg、阻值r＝0.5Ω的金属棒ab放在两导轨上，距离导轨最上端为L2＝4m，棒与导轨垂直并保持良好接触。整个装置处于一匀强磁场中，该匀强磁场方向与导轨平面垂直，磁感应强度大小随时间变化的情况如图乙所示。为保持ab棒静止，在棒上施加了一平行于导轨平面的外力F， g=10m/s2求： （1）当t＝s时，外力F的大小和方向； （）4s后，撤去外力F，金属棒将由静止开始下滑，这时用电压传感器将R两端的电压即时采集并输入计算机，在显示器显示的电压达到某一恒定值后，记下该时刻棒的位置，测出该位置与棒初始位置相距207.90cm，求棒下滑该距离过程中电