半导体光电子器件20540.ppt

半导体光电子器件 概述 本课程主要内容 半导体光电子器件物理基础； 半导体光电探测器； 半导体光电池； 半导体电荷耦合器件（CCD）； 半导体激光器（LD）； 半导体发光二极管（LED）。 Ch1 半导体光电子器件物理基础 §1-1 pn结 §1-2 异质结与超晶格 §1-3 金属与半导体接触 §1-4 MIS结构 §1-5 半导体光吸收与光辐射 §1.1.2 pn结基本物理特性 § 1.1.2.2 非平衡pn结 §1.1.3 pn结基本电学特性 § 1.1.3.2 pn结电容和等效电路 势垒电容 § 1.1.3.3 pn结击穿 § 1.1.4 pin结结构 2.空间电荷区电荷分布 pn基本特性—要点 一、空间电荷区形成及特性 二、能带结构 三、平衡状态载流子分布 四、非平衡状态载流子分布 五、电学特性 六、势垒电容 七、扩散电容八、击穿电压 §1-2 异质结与超晶格 基本内容： §1.2.1 异质结及其能带结构 §1.2.2 异质结的电流输运机构 §1.2.3 异质结在器件中的应用 §1.2.4 半导体超晶格 异质结定义： 异质结特征：二个区域禁带宽度不同 异质结类型： 异质结表征： §1.2.1 异质结及其能带结构 一、理想状态能带结构 1.异质结孤立状态能带结构及形成过程以反型结为例 3.能带结构特征以异质pn结为例 1.能隙差