第3章：光探测材料与器件-光电池.pptx

探测器件气体光电探测元件光子探测元件热电探测元件外光电效应内光电效应放 大 型非放大型光电导探测器光磁电探测器光生伏特探测器光电倍增管真空光电管像增强器放大型充气光电管掺杂型本征型非放大摄像管光电三极管光电池光敏电阻红外探测器光电场效应管变像管光电二极管雪崩型光电二极管太阳电池的结构光电池核心结构PN结p-n结是半导体器件，也是太阳电池的核心。p型n型工作原理 热平衡状态下的PN n区(电子多、空穴少)的电子向p区扩散，p区(空穴多、电子少)的空穴向n区扩散，在交界面处形成正负电荷的积累，交界处形成电偶层（内建电场），厚度约为10-7m (0.1?m)。P-N结P-N结电势曲线U0电子能级工作原理 稳定后，n区相对p区有电势差U0 (n比p高)。p-n 结也称势垒区。 它阻止P区带正电的空穴进一步向N区扩散；也阻止N区带负电的电子进一步向P区扩散。电子电势能曲线 正向特性反向特性反向击穿工作原理 1.热平衡状态下的PN结电流PN结中静电流为零。如有外加电压，PN结中的电流为：+p?_?n°°光工作原理 2、光生电动势的产生过程 当光照射在p-n结上时，光子会产生电子-空穴对。? ? e－+ h+ 在空间电荷区内强电场的作用下，电子将移到n型中，而空穴则移到p型中。从而使p-n结两边分别带上正、负电荷。在外回路形成电流。这样p-n结就相当于一个电池。 由光照射，使p-n结产生电动势