第九章 常用半导体器件 2014.10.24.pptVIP

二、杂质半导体---- N型半导体和 P 型半导体 三、 PN结的形成 四、 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 第二节 半导体二极管 一、半导体二极管的结构 二、 伏安特性 三、 主要参数 二极管电路分析举例 第三节 特殊二极管 第四节 晶体 管 一、 基本结构 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IBmA ICmA IEmA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系IE IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? ICIB把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件流控电流源。 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB ? IBEICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 常用公式 IE IC IB RB RC EB EC N N P 发射区电子 发射结正偏利于发射区发射电子 基区 集电结反偏利于集电区收集电子 集电区 4. 电流分配 IB RB EB IC RC EC IE 基极电流很小的变化，将引起集电极电流一个很大的变化。 直流放大系数 交流放大系数 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 四、晶体管的特性曲线 表示各极电流与极间电压的关系。 是了解晶体管特性和分析晶体管工作状态的重要依据。 共射极放大电路 （一）共射极组态输入特性曲线 NPN型硅管输入特性曲线 正常工作时 VC＞VB＞VE UCE≥1V即可使集电结反偏。 常数 IB／μA 0.4 0.8 UBE／V 20 60 40 80 0 UCE≥1V 所有的输入特性曲线几乎重合。 UB B RB RB′ ′ IB μ A E IC UCC C mA mA + + － － UBE UCE 下一页 总目录 章目录 返回 上一页 第九章 常用半导体器件 第二节 半导体二极管 第三节 特殊二极管 第四节 晶体管 第一节 PN节及其单向导电特性 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。 半导体的导电特性： 可做成温度敏感元件，如热敏电阻。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 第一节 PN节及其单向导电特性 一、 本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 Si Si Si Si 价电子价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 空穴温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流1自由电子作定向运动 ?电子电流2价电子递补空穴 ?空穴电流 注意： 1 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； 2 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的