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半导体器件物理Physics of Semiconductor Devices 参考资料 半导体器件物理课件---ppt 《半导体器件物理学习指导》 半导体器件物理习题及参考答案 半导体器件物理复习纲要 《半导体器件物理与实验》国家精品课程网站吉大网站→校内办公→教学在线→教学资源平台→国家级精品课（第二页）→半导体器件物理→论坛→孟庆巨教授讨论室 主要参考书 Physics of Semiconductor Devices，Third Edition, S. M. Sze and Kwok K. Ng, Published by John Wiley Sons, Inc. in 2007. Semiconductor Physics and Devices——Basic Principles， Third Edition, Donald A. Neamen，Published by McGraw-Hill, in 2003. 《半导体器件基础》， [美] Robert F. Pierret，电子工业出版社，2004. 《现代半导体器件物理》，[美] 施敏（ S. M. Sze ），科学出版社，2001. 第一章 半导体物理基础Chapter 1 Fundament of Semiconductor Physics 学习目的 重点知识回顾能带理论；载流子统计分布；载流子的输运现象；非平衡载流子的产生与复合； 1.1—1.6 能带理论和杂质能级（自学） 基本概念与基本原理共有化运动；电子态；周期性势场；布洛赫定理；波矢量；倒格矢；倒格子；布里渊区；周期性边界条件；导带；价带；禁带；晶体能带的性质；有效质量；导带电子；价带空穴；准动量；电子和空穴在外力作用下的运动规律；金属、半导体、绝缘体的能带特征；Si、Ge、GaAs等常见半导体的能带结构；能谷；横向有效质量；纵向有效质量；直接带隙；间接带隙；施主杂质；受主杂质；杂质能级；N型半导体；P型半导体；深能级。 1.7 载流子的统计分布 1.7.1 状态密度（Density of States, DOS) 0. 定义：单位体积晶体中单位能量间隔内的状态数。 1.7 载流子的统计分布 1.7.1 状态密度（Density of States, DOS) 1.7 载流子的统计分布 1.7.1 状态密度（Density of States, DOS） 1.7 载流子的统计分布 1.7.2 费米分布函数和费米能级 1.7 载流子的统计分布 1.7.2 费米分布函数和费米能级 1.7 载流子的统计分布 1.7.2 费米分布函数和费米能级 1.7 载流子的统计分布 1.7.6 杂质补偿半导体 电中性条件和载流子浓度： 三. Na=Nd情况：（完全补偿） 1.7.7 简并半导体（自学） 阅读教材P31-33，回答下面问题：什么是简并半导体？简并发生的条件是什么？ 1.8 载流子的散射（自学） 阅读教材P36-41。需要掌握的概念：格波；声子；色散关系；平均自由时间；弛豫时间；主要的散射机制。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 几种常见半导体的参数 Eg (eV) Nc (cm-3) Nv (cm-3) Ni (cm-3) Ge 0.67 1.04×1019 4.4×1018 2.3×1013 Si 1.12 2.8×1019 1.04×1019 1.5×1010 GaAs 1.43 4.5×1017 7.1×1018 1.1×107 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.9 电荷输运现象 1.9.1 漂移运动、迁移率与电导率 电荷的输运——载流子的漂移与扩散运动。 漂移运动:在外电场存在时，载流子除了做无规则的热运动以外，还要沿一定方向做有规则的定向运动，这种运动称为漂移运动；漂移运动的速度称为漂移速度；漂移运动可引起电荷的定向流动，从而在半导体中产生电流，这就是电导现象；由载流子漂移运动所引起的电流常称为漂移电流。 迁移率：载流子的平均漂移速度 与外电场强度 成正比，其比例系数称为迁移率。迁移率常用 来表示，单位为 Evaluation only. Created with Aspose